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◆PLMapping測量

◆多種激光器可選

◆Mapping掃描速度：優(yōu)于20點(diǎn)/秒

◆空間分辨率：10um（物鏡）,，50um（透鏡）

◆光譜分辨率：0.1nm@1200g/mm

◆Mapping結(jié)果以3D方式顯示

◆**8吋的樣品測量

◆晶片精確定位

◆樣品真空吸附

◆可做低溫測量

◆膜厚測量

測試原理：

PL是一種輻射復(fù)合效應(yīng),。在一定波長光源的激發(fā)下，電子吸收激發(fā)光子的能量,，向高能級躍遷而處于激發(fā)態(tài),。激發(fā)態(tài)是不穩(wěn)定的狀態(tài)，會以輻射復(fù)合的形式發(fā)射光子向低能級躍遷,，這種被發(fā)射的光稱為熒光,。熒光光譜代表了半導(dǎo)體材料內(nèi)部，一定的電子能級躍遷的機(jī)制,，也反映了材料的性能及其缺陷,。

操作簡便、全電腦控制

PMEye-3000系列PL Mapping測量儀,，是一款適合于半導(dǎo)體晶片和LED外延片科研,、生產(chǎn)和質(zhì)量控制環(huán)節(jié)的儀器；采用整機(jī)設(shè)計,，用戶只需要根據(jù)需要放置合適的檢測樣品,，無需進(jìn)行復(fù)雜的光路調(diào)整，操作簡便,；所有控制操作均通過計算機(jī)來控制實現(xiàn),。

全新的樣品臺設(shè)計，采用真空吸附方式對樣品進(jìn)行固定,，防止對樣品的損傷,；可對常規(guī)尺寸的晶圓樣品進(jìn)行精確定位，提高測量重復(fù)性,。

系統(tǒng)采用直流和交流兩種測量模式,，直流模式用于常規(guī)檢測，交流模式用于微弱熒光檢測,。

熒光測量

一般的PL測量儀只是測量熒光的波長和強(qiáng)度,。PMEye-3000系列增加對激光強(qiáng)度的監(jiān)控,，并根據(jù)監(jiān)控結(jié)果來對熒光測量進(jìn)行校正。這樣就可以消除激發(fā)光源的不穩(wěn)定帶來的測量誤差,，也使測量結(jié)果有可比性,。

Mapping功能

PMEye-3000系列配置200X200mm的X-Y電控位移臺，**可測量8英寸的晶圓樣品,。用戶可以根據(jù)不同的樣品規(guī)格來設(shè)置掃描區(qū)域及空間分辨率，掃描速度優(yōu)于每秒20個點(diǎn),，空間分辨率可達(dá)10um（物鏡）,，50um（透鏡）。掃描結(jié)果以3D方式顯示,，以不同的顏色來表示不同的熒光強(qiáng)度,。

激光器

PMEye-3000系列有多種高穩(wěn)定性的激光器可選，系統(tǒng)*多可內(nèi)置2個激光器和一個外接激光器,，標(biāo)配為1個激光器,。用戶可以根據(jù)測量對象來配置不同的激光器，使PL檢測更加靈活,。

PMEye-3000系列可內(nèi)置的激光器波長有：266nm,，405nm，442nm,，532nm,、785nm等，外置激光器波長有：325nm,，632.8nm等,。

功能強(qiáng)大的軟件

我們具有多年的測量儀器操作軟件的開發(fā)經(jīng)驗，熟悉用戶的操作習(xí)慣,，這使我們開發(fā)的這套PMEye-3000系列操作軟件功能強(qiáng)大且操作簡便,。

PMEye-3000系列操作軟件提供單點(diǎn)PL光譜測量及顯示，單波長的X-Y Mapping測量及顯示,，mapping結(jié)果以3D方式顯示,。同時具有多種數(shù)據(jù)處理方式來對所測量的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。

低溫樣品室附件

該附件可實現(xiàn)樣品在低溫狀態(tài)下的熒光檢測,。

有些樣品在不同的溫度條件下,，將呈現(xiàn)不同的熒光效果，這時就需要對樣品進(jìn)行低溫制冷,。

如圖所示,，從圖中我們可以發(fā)現(xiàn)在室溫時，GaN薄膜的發(fā)光波長幾乎含蓋整個可見光范圍,，且強(qiáng)度的**峰出現(xiàn)在580nm附近,，但整體而言其強(qiáng)度并不強(qiáng),；隨著溫度的降低，發(fā)光強(qiáng)度開始慢慢的增加,，直到110K時,，我們可以發(fā)現(xiàn)在350nm附近似乎有一個小峰開始出現(xiàn)，且當(dāng)溫度越降越低,，這個小峰強(qiáng)度的增加也越顯著,，一直到*低溫25K時，基本上就只有一個熒光峰,。

GaN薄膜的禁帶寬度在室溫時為3.40Ev,，換算成波長為365nm，而我們利用PL系統(tǒng)所測的GaN薄膜在25K時在356.6nm附近有一個峰值,，因此如果我們將GaN薄膜的禁帶寬度隨溫度變化情況也考慮進(jìn)去,，則可以發(fā)現(xiàn)在理論上25K時GaN的禁帶寬度為3.48eV，即特征波長為357.1nm,，非?？拷鼘嶒炈玫?56.6nm，因此我們可以推斷這個發(fā)光現(xiàn)象應(yīng)該就是GaN薄膜的自發(fā)輻射,。

性能及功能

探測器選擇