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MiniLED光電特性測試

MiniLED芯片在被封裝前后,，需要經(jīng)過檢測工序，以剔除其中的不合格品,。其中,，光電性能檢測是非常重要的指標(biāo)參數(shù)。光電性能檢測是指對晶圓上的芯片,，或者封裝后的成品,，對其電壓(V)、電流（I）,，V_FD,，波長(WD)、亮度(LOP),、抗靜電能力(ESD),，等光電性性能逐一進(jìn)行測試，得到實際數(shù)值,，進(jìn)而為后續(xù)加工生產(chǎn)提供可靠的產(chǎn)品實際性能信息,。由于Mini   LED具有尺寸小,，使用數(shù)量大等特性，因此,，其光電特性測試也提出了新的要求,。

高精度微弱電流

由于MiniLED本身的特性，正向點亮測試時,，輸入電流較小，一般在mA，甚至uA級,；反向高壓漏電流測試，電流甚至低至nA級,。精確穩(wěn)定地輸出與測量電流,，是獲取準(zhǔn)確測試結(jié)果數(shù)據(jù)的先決條件,。

高效率

MiniLED生產(chǎn)工藝效率要求高,，預(yù)留給芯片的電性能測試時間,，一般控制在十幾ms以內(nèi),。高效快速的輸出與檢測電壓,、電流,，是提升生產(chǎn)效率的重要保證,。

廣泛兼容性

Mini   LED測試，往往需采用自動化設(shè)備來進(jìn)行，且測試項目包含電壓,，電流等電特性參數(shù),，以及光譜,，光功率等光性能參數(shù),。廣泛的軟硬件兼容性,，有助于終端用戶,，根據(jù)實際測試要求,，選配不同測試儀器，以及自動化設(shè)備,。

利用數(shù)字源表進(jìn)行Mini LED光電特性測試

實施MiniLED光電特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）,。數(shù)字源表作為獨立的恒壓源或恒流源，輸出恒壓或恒流,、還可以當(dāng)作表,，進(jìn)行電壓或者電流測量；支持Trig觸發(fā),，可實現(xiàn)與光譜儀,，探針臺，分選機等第三方設(shè)備聯(lián)動工作,。

目前,，光電性能檢測是通過Mini   LED點測機實現(xiàn)的,，用于測量晶圓上每一顆芯片,。點測機的主要結(jié)構(gòu)單元包括探針臺,，電性能測試單元,，光性能測試單元，以及上位機控制系統(tǒng)等,。該工序根據(jù)實際情況,，位于晶圓劃片前,，或者后工序。設(shè)備基本構(gòu)成主要包括探針臺，電子顯微鏡,，SMU,，ESD,，工控機,，積分球,，光譜儀等,。其中,，SMU的作用是對芯片進(jìn)行IV特性測試,，同時在光學(xué)測試中,，對芯片進(jìn)行供電。

常用的電性能測試項目包括,，V_F1,V_F2,I_R,V_Z,V_FD,D_VF等。

⑴ V_F（正向電壓）測試,， FIMV： 一般會測兩個點， D一個點V_F1為 LED剛點亮?xí)r電壓,， 第二個點V_F2為LED 正常工作時的電壓,；
⑵ V_Z（反向擊穿電壓）測試,， FIMV：一定反向電流時,，器件兩端的電壓;
⑶ I_R（反向泄露電流）測試,， FVMI： 一定反向電壓時,， 流過器件的電流；
⑸ D_VF 測試,，材料熱縮效應(yīng)測試， FIMV： 對LED施加兩次不同的電流,，并計算不同條件下的電壓差,；
⑹ V_FD 測試，正向電壓暫態(tài)峰值電壓測試,， FIMV： 對LED施加一定的正向電流,，同時采集電壓變化，   尖峰電壓與正常電壓的差值即為V_FD,；                                          

miniled光電特性測試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,，詳詢一八一四零六六三四七六；武漢普賽斯一直專注于半導(dǎo)體,，LED，激光器的光電性能測試儀表開發(fā),，基于核心算法和系統(tǒng)繼承等技術(shù)平臺優(yōu)勢,，S先自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表、脈沖式源表,、窄脈沖源表,、集成插卡式源表，Mini LED源表測試系統(tǒng)等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體,，LED，激光器等產(chǎn)品的生產(chǎn),、研發(fā)、測試場景,。可夠根據(jù)用戶的需求提供高性能,，高效率，高性價比的半導(dǎo)體,，LED,，激光器測試系統(tǒng)級解決方案,。miniled光電特性測試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表