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IGBT簡介：

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件,，期間經(jīng)常使用在強電流高電壓的場景中,，如電動汽車、變電站等,。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”,，被國家列為重點研究對象,。

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件,，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試,。

2、IGBT的漏電流越小越好,，所以需要高精度的設(shè)備進行測試,。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大,，測試時需要量程范圍廣,，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4,、由于IGBT工作在強電流下,，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng),，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試,，用于評估期間的自加熱特性。

5,、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要,。

6,、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試,。

IGBT靜態(tài)測試設(shè)備認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,，深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗,，先后推出了直流源表，脈沖源表,、高電流脈沖源表,、高電壓源測單元等測試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體測試行業(yè),； 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可以完成多項參數(shù)測試,，如ICES、IGESF,、IGESR,、BVCES、VGETH,、VCESAT,、VF等。

IGBT靜態(tài)測試設(shè)備應(yīng)用

     功率器件如二極管,、三極管,、MOS管、IGBT,、SIC,、GaN；