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IGBT靜態(tài)測試設(shè)備
IGBT靜態(tài)測試設(shè)備

參考價(jià)格

60-70萬元

型號(hào)

PMST-3500V

品牌

普賽斯儀表

產(chǎn)地

武漢

樣本

暫無
武漢普賽斯儀表有限公司

會(huì)員

|

第3年

|

生產(chǎn)商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 誤差率:

    0.1%
  • 分辨率:

    100pA
  • 重現(xiàn)性:

  • 儀器原理:

    圖像分析
  • 分散方式:

    數(shù)字
  • 測量時(shí)間:

    s
  • 測量范圍:

    漏電流測試范圍1nA~100mA
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IGBT簡介:

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件,,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場景中,如電動(dòng)汽車、變電站等,。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn),,IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”,,被國家列為重點(diǎn)研究對象。


IGBT測試難點(diǎn):

1,、由于IGBT是多端口器件,,所以需要多個(gè)測量模塊協(xié)同測試。

2,、IGBT的漏電流越小越好,,所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測試。

3,、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大,,測試時(shí)需要量程范圍廣,且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測試,。

4,、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,,脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng),,所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測試,用于評估期間的自加熱特性,。

5,、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系,。所以IGBT的電容測試非常重要,。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要,,需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測試,。


IGBT靜態(tài)測試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六,;普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,,深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),,先后推出了直流源表,,脈沖源表、高電流脈沖源表,、高電壓源測單元等測試設(shè)備,,廣泛應(yīng)用于廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體測試行業(yè); 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可以完成多項(xiàng)參數(shù)測試,如ICES,、IGESF,、IGESR、BVCES,、VGETH,、VCESAT、VF等,。

IGBT靜態(tài)測試設(shè)備應(yīng)用

     功率器件如二極管,、三極管、MOS管,、IGBT,、SIC、GaN,;



創(chuàng)新點(diǎn)

普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,,深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),,先后推出了直流源表,,脈沖源表、高電流脈沖源表,、高電壓源測單元等測試設(shè)備,,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,,新能源,,光伏,風(fēng)電,,軌交,,變頻器等場景。

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電子/通訊

2022-11-04

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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價(jià)比

10分
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