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原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),，具有自限性和自飽和,。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔,、高保形的納米薄膜,。
產(chǎn)品描述
廈門韞茂科技公司的雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)（QBT-T），設(shè)備采用雙腔體設(shè)計,，腔體之間可實現(xiàn)獨立控制,，雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室,，粉末ALD腔室,。由于雙腔體雙功能的獨特設(shè)計，使設(shè)備可以在平片上實現(xiàn)等離子體ALD的生長工藝以及粉末ALD包覆工藝,，設(shè)備配有獨立控制的300℃完整加熱反應(yīng)腔室系統(tǒng),，保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有**粉末樣品桶,、晶圓載盤,、全自動溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶,、自動溫度控制閥,、工業(yè)級安全控制,，以及現(xiàn)場RGA、QCM,、臭氧發(fā)生器,、手套箱、極片架等設(shè)計選項,。是先進能源材料,、催化劑材料、新型納米材料,半導(dǎo)體領(lǐng)域研究與應(yīng)用的**研發(fā)工具之一,。
主要技術(shù)參數(shù)
| QBT-T 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制備） | |
| 腔體 | 雙腔體設(shè)計（1個硅片PEALD腔室,，1個粉末ALD腔室），每個腔體獨立控制,，雙倍產(chǎn)出 |
| 等離子體 Plasma | **3kW RF自匹配電源 |
| **基板尺寸Max Wafer Size | Ф150mm (可定制） |
| 高精準樣品加熱控制 Wafer Heating | RT-300±1℃ |
| 前驅(qū)體 Max Precursor | **可包括3組等離子體反應(yīng)氣體 8組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors |
| 臭氧發(fā)生器Ozone Generator | 可選配,，生產(chǎn)效率15g/h |
| 人機界面 HMI | 全自動化人機操作界面 |
| 安全Safety | 工業(yè)標準安全互鎖Industry Safety Interlock，報警Alarm,，EMO |
廈門韞茂科技有限公司憑借在先進材料設(shè)備業(yè)務(wù)方面多年的經(jīng)驗,，韞茂為新型芯片，半導(dǎo)體和鋰電池領(lǐng)域的新材料開發(fā)和生產(chǎn),，提供***的納米工藝設(shè)備和服務(wù)解決方案,。根據(jù)您的特殊需求，我們?yōu)槟ㄖ拼蛟靹?chuàng)新納米加工平臺,，保證高品質(zhì)的設(shè)計,，多功能，易于使用的界面,，嚴格的安全控制,，以及快速的交付和服務(wù)。
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