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鄭州市等離子改性設(shè)備：誠峰智造

噴射型AP等離子處理系統(tǒng)CRF-APO-DP1010-D

名稱（Name）噴射型AP等離子處理系統(tǒng)

型號（Model）CRF-APO-DP1010-D

電源（Power supply）220V/AC,50/60Hz

功率（Power）1000W/25KHz

處理高度（Processing height）5-15mm

處理寬幅（Processing width）1-6mm（Option）

內(nèi)部控制模式（Internal control mode）數(shù)字控制

外部控制模式（External control mode）RS485/RS232數(shù)字通訊口、

模擬量控制口工作氣體（Gas）

Compressed Air （0.4mpa）

產(chǎn)品特點：可選配多種類型噴嘴,，使用于不同場合,，滿足各種不同產(chǎn)品和處理環(huán)境；

具有RS485/232數(shù)字通訊口和模擬量控制口,，滿足客戶多元化需求,。

設(shè)備尺寸小巧，方便攜帶和移動,，節(jié)省客戶使用空間,；

可In-Line式安裝于客戶設(shè)備產(chǎn)線中，減少客戶投入成本,；

使用壽命長,，保養(yǎng)維修成本低，便于客戶成本控制,；

應(yīng)用范圍：主要應(yīng)用于電子行業(yè)的手機殼印刷,、涂覆、點膠等前處理,，手機屏幕的表面處理,；工業(yè)的航空航天電連接器表面清洗；通用行業(yè)的絲網(wǎng)印刷,、轉(zhuǎn)移印刷前處理等,。

鄭州市等離子改性設(shè)備

隨著半導體技術(shù)的發(fā)展,，對技術(shù)的要求越來越高，特別是半導體圓片的表面質(zhì)量要求越來越嚴格,，主要原因是圓片表面的粒子和金屬雜質(zhì)污染嚴重影響設(shè)備的質(zhì)量和成品率,，在現(xiàn)在的集成電路生產(chǎn)中，圓片表面污染問題,，還有50%以上的材料損失。

在半導體生產(chǎn)過程中,，幾乎每個過程都需要清洗,，圓片清洗質(zhì)量對設(shè)備性能有嚴重影響。正因為圓片清洗是半導體制造技術(shù)中*重要,、*頻繁的步驟,，其技術(shù)質(zhì)量直接影響設(shè)備的成品率、性能和可靠性,，國內(nèi)外各大公司,、研究機構(gòu)等對清洗技術(shù)的研究不斷進行。等離子清洗作為一種先進的干式清洗技術(shù),，具有綠色環(huán)保等特點,，隨著微電子行業(yè)的快速發(fā)展，等離子清洗機在半導體行業(yè)的應(yīng)用也越來越多,。

半導體污染雜質(zhì)及分類,。

半導體制造需要一些有機物和無機物參與完成。此外,，由于工藝總是由人們參與凈化室,，半導體圓片不可避免地會被各種雜質(zhì)污染。根據(jù)污染物的來源,、性質(zhì)等,，大致可分為粒子、有機物,、金屬離子和氧化物4種,。

顆粒。

粒子主要是聚合物,、光刻膠,、蝕刻雜質(zhì)等。這種污染物通常主要依靠范德瓦爾斯的吸引力吸附在圓片表面,，影響設(shè)備雕刻工序幾何圖形的形成和電學參數(shù),。這種污染物的去除方法主要用物理或化學方法切割粒子，逐漸減少與圓表面的接觸面積,，*終去除,。

有機物,。

有機物雜質(zhì)的來源比較廣泛，如人的皮膚油脂,、細菌,、機械油、真空油,、光刻膠,、清洗溶劑等。這種污染物通常在圓形表面形成有機物薄膜,，阻止清洗液到達圓形表面,，圓形表面清洗不完全，清洗后金屬雜質(zhì)等污染物仍完全保留在圓形表面,。這種污染物的清除通常在清洗過程的**步進行,，主要用硫酸和過氧化氫水等方法進行。

金屬,。

半導體技術(shù)中常見的金屬雜質(zhì)有鐵,、銅、鋁,、鉻,、鎢、鈦,、鈉,、鉀、鋰等,，這些雜質(zhì)的來源主要有各種器皿,、配管、化學試劑,、半導體圓片加工中,，在形成金屬連接的同時，也產(chǎn)生了各種金屬污染,。這種雜質(zhì)的去除通常采用化學方法,，通過各種試劑和化學藥品制成的清洗液和金屬離子反應(yīng)，形成金屬離子的結(jié)合物,，脫離圓片表面,。

氧化物。

半導體圓片在含氧和水的環(huán)境下表面形成自然氧化層,。該氧化膜不僅妨礙了半導體制造的許多步驟,，還包括金屬雜質(zhì)，在一定條件下轉(zhuǎn)移到圓片中形成電氣缺陷,。該氧化膜的去除通常用稀氫氟酸浸泡,。

等離子清洗機在半導體晶圓清洗技術(shù)中的應(yīng)用等離子清洗技術(shù)簡單,，操作方便，無廢棄物處理和環(huán)境污染等問題,。但是,，它不能去除碳和其他非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物。等離子體清洗常用于光刻膠的去除技術(shù),，在等離子體反應(yīng)系統(tǒng)中加入少量氧氣,，在強電場的作用下，使氧氣產(chǎn)生等離子體,，使光刻膠迅速氧化成揮發(fā)性氣體狀態(tài)物質(zhì),。該清洗技術(shù)具有去膠技術(shù)操作方便、效率高,、表面清潔、無損傷,、有利于確保產(chǎn)品質(zhì)量等優(yōu)點,，不使用酸、堿,、有機溶劑等,，越來越受到重視。