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脈沖等離子PulsPlasma?系統(tǒng)包括真空爐室，輔助加熱系統(tǒng),，保溫系統(tǒng),，溫度測量系統(tǒng)，鐘罩提升系統(tǒng),，工藝氣體循環(huán)系統(tǒng),，冷卻系統(tǒng)，工藝控制系統(tǒng)以及離子發(fā)生器系統(tǒng),。這其中的離子發(fā)生器系統(tǒng)是普發(fā)拓普公司的**設計,，可以完全避免打弧現(xiàn)象的發(fā)生而且節(jié)能效果明顯。爐體可以是鐘罩式設計,，也可以是井式爐或臥式設計,。根據設備的大小，加熱控制區(qū)至少配有三組獨立控制升溫和降溫的加熱器,，通過這些獨立控制的加熱器獲得**的均溫性,。
工藝特點：
通過熱壁技術實現(xiàn)良好的均溫性
工藝氣體消耗少，沒有污染氣體
靈活的滲氮溫度,，溫度范圍 300 ℃ - 800 ℃
白亮層可控
可處理不銹鋼
可處理燒結鋼
可以在同一爐工藝集成脈沖離子氮化-氧化工藝
設備特點：
不產生打弧,，工件表面無破壞
獨特的加熱和控制系統(tǒng)，至少3區(qū)獨立的加熱和冷卻區(qū)域
控制區(qū)溫度均勻分布
獨有的PulsPlasma?電源,，電壓和電流近乎方波,，幾微妙內獲得
設定的全部脈沖電流，主動抑制打弧監(jiān)測（開關時間< 0.1 μs）
電源可升級至5年質保
可在低溫下對工件表面進行等離子清洗
設備布局緊湊，節(jié)省空間,，所有部件集成在一個基礎框架內
模塊化設計,，提供單室型、交替型和雙室型設備
特殊航天保溫材料,，熱容量低,，功率損耗低，節(jié)省重量
暫無數(shù)據,！
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