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特斯拉大砍SiC,，GaN替補上位？
中國粉體網(wǎng)訊 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料,，適合制作高溫,、高頻、抗輻射及大功率器件,，一度被視為新能源汽車領(lǐng)域的理想材料,。特斯拉，曾打響SiC上車的第一槍,。2011年,，科銳（現(xiàn)Wolfspeed）公司推出全球首款SiC MOSFET。5年后,，特斯拉發(fā)布第四款車型Model 3,，該車型的主逆變器安裝了24個意法半導(dǎo)體（ST）公司生產(chǎn)的SiC MOSFET功率模塊。搭載24個SiC MOSFET功率模塊的Model 3主逆變器（來源：NE時代）此后,，SiC不僅成為半導(dǎo)體廠商激烈涌進的熱門賽道，也在全球新能源車市場加速上車,。不過轉(zhuǎn)過頭來,，特斯拉在今年的投資者日活動上表示，為進一步降低車輛成本,，計劃在下一代電動汽車動力系統(tǒng)..【詳細】
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