
西安博爾新材料有限責(zé)任公司

已認(rèn)證
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SiC具有耐高溫,、耐腐蝕,、耐磨損、高導(dǎo)熱,、抗氧化性以及高強度,、低密度、介電性能可設(shè)計等優(yōu)異特性,,是極具應(yīng)用潛力的導(dǎo)熱吸波型材料,。在半導(dǎo)體材料中,SiC的高導(dǎo)熱系數(shù)奠定了其在第三代半導(dǎo)體材料中的主導(dǎo)地位,,SiC器件可在高溫下長時間穩(wěn)定工作,,促進(jìn)了其在新一代芯片技術(shù)和導(dǎo)熱散熱技術(shù)領(lǐng)域的推廣應(yīng)用。下表列出了三代半導(dǎo)體材料的熱學(xué)性能對比,。
博爾公司憑借30年在碳化硅粉體合成、分級,、整形,、純化,、熱壓與無壓浸滲、高導(dǎo)熱陶瓷制造等方面的技術(shù)儲備,,快速進(jìn)入熱管理材料領(lǐng)域,,并逐步開發(fā)了3C-SiC導(dǎo)熱吸波粉、納米SiC導(dǎo)熱吸波粉等系列產(chǎn)品,,特別適合于對導(dǎo)熱,、吸波及絕緣等指標(biāo)有特殊要求的產(chǎn)品。已在國內(nèi)多家大型導(dǎo)熱,、吸波,、屏蔽企業(yè)完成產(chǎn)品應(yīng)用,使用效果優(yōu)于日本,、德國和美國等進(jìn)口粉體,。
△產(chǎn)品優(yōu)勢如下:
棱角鈍化,形貌規(guī)整,,填充性能好,、穩(wěn)定性好、易于形成更多的導(dǎo)熱通道,。
比表面積小,,吸油值低、流動性好,。
粒度分布窄,,顆粒集中度比國標(biāo)至少提高10%以上。
堆積密度高,,最高可達(dá)2.2g/cm3,。
純度高,SiC純度可達(dá)4N~5N~6N,。
吸波性能良好,、介電性能可調(diào)。
性價比高,,可用于6-8W及以上的導(dǎo)熱產(chǎn)品,。
PART.1 3C-SiC導(dǎo)熱吸波粉
3C-SiC導(dǎo)熱吸波粉具有晶型完整、導(dǎo)熱系數(shù)高,,吸波性能好,,電子遷移率、擊穿電場強度,、相對介電常數(shù)等電學(xué)性能各向同性等特點,。3C- SiC純度:SiC≥99%;F·C﹤0.03%,;F·Si﹤0.1%,;SiO2﹤0.2%,;Fe2O3﹤0.03%。堆積密度:1.3~2.0g/cm3,。
產(chǎn)品規(guī)格:0.5μm~40μm,,可根據(jù)用戶需求定制。
PART.2 納米SiC導(dǎo)熱吸波粉
納米SiC導(dǎo)熱吸波粉采用公司自主專利技術(shù)生產(chǎn)的β-SiC新型微粉和碳化硅磨介磨制而成,,具有納米粒度分布窄,、純度高、堆積密度高,、絕緣性能好等優(yōu)點,。經(jīng)過表面改性和造粒制成的納米SiC造粒粉,具有密度大,、球度一致性好,、填充性能好、導(dǎo)熱系數(shù)高等優(yōu)點,。造粒粉粒度范圍為10~120mm,,可根據(jù)用戶需求定制;流動性指數(shù)可達(dá)94,,休止角達(dá)20o,。
產(chǎn)品規(guī)格:30μm~100μm,可根據(jù)用戶需求定制,。
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