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西安博爾新材料有限責(zé)任公司

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博爾新材料——打破技術(shù)壁壘,,引領(lǐng)碳化硅產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程

博爾新材料——打破技術(shù)壁壘,,引領(lǐng)碳化硅產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程
博爾  2025-01-10  |  閱讀:731

碳化硅(SiC)具有耐高溫,、耐腐蝕,、耐磨損,、高導(dǎo)熱,、抗氧化性以及高強(qiáng)度,、低密度、介電性能可設(shè)計(jì)等優(yōu)異特性,,是極具應(yīng)用潛力的導(dǎo)熱吸波型材料,。在半導(dǎo)體材料中,,碳化硅的高導(dǎo)熱系數(shù)奠定了其在第三代半導(dǎo)體材料中的主導(dǎo)地位,碳化硅器件可在高溫下長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作,,促進(jìn)了其在新一代芯片技術(shù)和導(dǎo)熱散熱技術(shù)領(lǐng)域的推廣應(yīng)用,。

 

在剛剛過(guò)去的2024年,碳化硅加速滲透到更多領(lǐng)域,。在降本提效刺激下,,全球碳化硅行業(yè)在2024年維持著“增資擴(kuò)產(chǎn)”的熱潮,產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)競(jìng)相作出新動(dòng)作,,積極擴(kuò)充產(chǎn)能,推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程不斷向前邁進(jìn),。

 

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西安博爾新材料有限責(zé)任公司:SiC 領(lǐng)域先鋒

 

西安博爾新材料有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“博爾新材料”)憑借深厚的技術(shù)積累與創(chuàng)新精神,,在SiC微粉研發(fā)生產(chǎn)賽道上一馬當(dāng)先,成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn),。

 

博爾新材料是專(zhuān)門(mén)從事高品質(zhì)碳化硅(SiC)微粉研發(fā),、生產(chǎn)及銷(xiāo)售的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè),也是全球首家突破技術(shù)壁壘,,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)外空白,,自主發(fā)明實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)立方碳化硅(3C-SiC/β-SiC)微粉的專(zhuān)業(yè)企業(yè)。博爾擁有國(guó)內(nèi)一流的粉體制造,、加工與測(cè)試儀器設(shè)備和高技術(shù)陶瓷研發(fā)與生產(chǎn)裝備,。主營(yíng)產(chǎn)品立方碳化硅于2018年、2019年分別列入陜西省工信廳和國(guó)家工信委重點(diǎn)新材料目錄,,其系列產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到世界領(lǐng)先水平,,在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)享有盛名。

 

博爾新材料生產(chǎn)的高品質(zhì)SiC粉體系列產(chǎn)品在半導(dǎo)體芯片,、電子封裝,、導(dǎo)熱散熱、吸波,、精細(xì)研磨,、高技術(shù)陶瓷、涂層鍍層等領(lǐng)域已得到廣泛應(yīng)用,。產(chǎn)品除滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求外,,還大量出口美國(guó)、韓國(guó),、德國(guó)和日本等國(guó),。

 

博爾主營(yíng)產(chǎn)品概覽

 

1、立方碳化硅

立方碳化硅(也稱(chēng)3C-SiC或β-SiC)性能優(yōu)異,,應(yīng)用廣泛,,是各國(guó)高技術(shù)領(lǐng)域普遍關(guān)注的戰(zhàn)略性高新技術(shù)材料,,全球稀有,批量生產(chǎn)在國(guó)內(nèi)尚屬空白,。博爾新材料團(tuán)隊(duì)歷經(jīng)30年研發(fā),,擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù),利用工業(yè)原料可一次性大批量合成立方SiC微粉和晶須兩種高端產(chǎn)品,,打破了國(guó)外立方碳化硅技術(shù)壟斷,、填補(bǔ)我國(guó)在這類(lèi)材料生產(chǎn)方面的技術(shù)空白。目前公司已在西安閻良航空基地購(gòu)地40畝進(jìn)行成果轉(zhuǎn)化,,為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),。項(xiàng)目總投資2.2億元,總產(chǎn)能為3000噸,。

產(chǎn)品粒度范圍有:100nm-120μm,,產(chǎn)品規(guī)格有近三十種,基本粒含量均超過(guò)60%,;堆積密度可達(dá)2.2g/cm3,;產(chǎn)品純度可達(dá)5N-6N。

 

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2,、半導(dǎo)體制造用高純超細(xì)立方SiC微粉

由高純度(99.99%~99.9999%),、精細(xì)(0~0.1μm)微粉和粒度為50~800μm的單晶β-SiC做母源,經(jīng)氣相沉積法可制造各種單晶碳化硅,,其優(yōu)異的導(dǎo)電,、導(dǎo)熱、耐磨,、耐高溫,、耐腐蝕性使其在軍工、航天,、航空,、電子行業(yè)等高尖端領(lǐng)域用來(lái)替代電子級(jí)單晶硅和多晶硅,成為當(dāng)前高科技領(lǐng)域公認(rèn)的第三代半導(dǎo)體材料和LED等應(yīng)用的電子封裝,、基板材料,。


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3、立方SiC導(dǎo)熱吸波粉

 

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△產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)如下:

  • 棱角鈍化,,形貌規(guī)整,,填充性能好、穩(wěn)定性好,、易于形成更多的導(dǎo)熱通道,。

  • 比表面積小,吸油值低,、流動(dòng)性好,。

  • 粒度分布窄,,顆粒集中度比國(guó)標(biāo)至少提高10%以上。

  • 堆積密度高,,最高可達(dá)2.2g/cm3,。

  • 純度高,SiC純度可達(dá)4N~5N~6N,。

  • 吸波性能良好,、介電性能可調(diào)。

  • 性?xún)r(jià)比高,,可用于6-8W及以上的導(dǎo)熱產(chǎn)品,。


應(yīng)用領(lǐng)域

精細(xì)研磨、拋光

立方SiC和納米SiC作為精拋材料,,是電子,、醫(yī)學(xué)、測(cè)量,、軍工、航天航空高精密光學(xué)鏡片精拋時(shí)的選材之一,,用于各類(lèi)軸承磨拋的油石產(chǎn)品制造,。目前已大量代替進(jìn)口材料。

 

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國(guó)防軍工

用立方SiC微粉,、晶須和納米新材料制作的各類(lèi)裝甲,、防彈板、防彈衣等具有優(yōu)良的高硬度,、高抗壓和彈性模量和卓越的抵抗高速射彈的彈道能力,,在裝甲、坦克的軸承,、發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒器,,戰(zhàn)斗機(jī)、轟炸機(jī),、航母,、潛艇等的高性能雷達(dá)天線材料和紅外線整流罩方面應(yīng)用廣泛。作為吸波材料,,立方SiC微粉和晶須也有廣闊的應(yīng)用前景,。

 

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航空航天

立方SiC微粉、晶須和納米材料擁有其它的材料無(wú)法比擬的優(yōu)異的抗腐蝕性,、高熱導(dǎo)率和高強(qiáng)度等性能,,在燃燒器電池、燃燒系統(tǒng)和閥門(mén),、高溫電力輔助構(gòu)件,、封蓋,、骨架和保溫系統(tǒng)等方面有非常廣泛的應(yīng)用。

 

半導(dǎo)體電子工業(yè)

超高純度的立方SiC微粉和納米SiC產(chǎn)品因其優(yōu)良的半導(dǎo)電性能和熱學(xué)性能使其在高溫,、高頻,、大功率半導(dǎo)體器件和紫外探測(cè)器、短波長(zhǎng)發(fā)光二極管,、高溫及抗輻射數(shù)字集成電路等方面成為很有吸引力的新材料,。作為SiC單晶、SiC靶材料的高級(jí)原料等更有廣闊的應(yīng)用前景,,作為電子封裝材料也已受到業(yè)界的青睞,。

 

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科研與成果轉(zhuǎn)化

 

由博爾新材料與西安科技大學(xué)聯(lián)合共建的陜西省“四主體一聯(lián)合”硅鎂碳微納米材料工程技術(shù)工程中心,根據(jù)博爾新材料的發(fā)展需求,、投資重點(diǎn)和市場(chǎng)特色,,結(jié)合硅鎂碳行業(yè)近10年的發(fā)展趨勢(shì)尤其是高技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展需求,以硅鎂碳微納米材料與應(yīng)用為主要研究對(duì)象,,開(kāi)展相關(guān)中試規(guī)模的研究,,建設(shè)中試平臺(tái)。工程中心一直秉持科研成果的系統(tǒng)化,、配套化,、工程化、產(chǎn)業(yè)化和市場(chǎng)化一條龍開(kāi)發(fā)思路,,在閻良航空基地投資1.8億元建設(shè)3000T/年產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線,。近三年新增研發(fā)投入1200余萬(wàn)元,自主研發(fā)了高端碳化硅導(dǎo)熱吸波粉,,經(jīng)下游用戶(hù)驗(yàn)證,,性能優(yōu)于日本等進(jìn)口產(chǎn)品,為我國(guó)高端導(dǎo)熱吸波開(kāi)發(fā)應(yīng)用提供了高端原材料國(guó)產(chǎn)化保障,。憑借卓越表現(xiàn),,該中心已榮獲陜西省科技廳“優(yōu)秀”評(píng)級(jí)肯定。


參考來(lái)源:

中國(guó)電子報(bào),、秦科技

西安博爾新材料有限責(zé)任公司官網(wǎng),、官微、粉體網(wǎng)企業(yè)展臺(tái)

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