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在上篇文章中,，我們結(jié)合具體案例為大家介紹了原子層沉積技術(shù)的概念,、原理和特點,。

還有很多朋友提問化學(xué)氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）的區(qū)別，我們從反應(yīng)效率,、均勻性以反應(yīng)溫度三方面來進行說明,。

在化學(xué)氣相沉積（ CVD） 中,，前驅(qū)體被同時且連續(xù)地引入反應(yīng)器中,，這些前驅(qū)體在熱基材表面相互反應(yīng)。沉積速度可能比 ALD 更高,，但涂層的粘附性較差，不夠致密,，而且不均勻。

由于 CVD 缺乏自鈍化作用,，因此也不可能形成均勻的高深寬比涂層,。CVD 工藝由于在溝槽或孔內(nèi)前驅(qū)體濃度較低,，導(dǎo)致厚度比基材表面低得多。CVD 通常還需要較高的襯底溫度,。

ALD有更好的臺階擴散性和溝槽涂層均勻性

本篇文章我們將繼續(xù)從效率,、溫度和涂層類型全方位揭秘原子層沉積技術(shù)，歡迎對原子層沉積技術(shù)感興趣的朋友們和我們一起交流探討,。

Part1

原子層沉積工藝的效率

眾所周知,，原子層沉積（ALD ）工藝的生長過程相當(dāng)緩慢，大約每 cycle 1 個原子層需要 1s左右,。然而,，一些變體要快得多,，特別是快速優(yōu)化的流動反應(yīng)器（1-5 nm/秒）和空間 ALD（1-10 nm/秒）,。

然而，由于 ALD 工藝固有的自鈍化特性,，可以將數(shù)千個基材裝入反應(yīng)器中,，從而使每個零件的涂覆速度極快、均勻且可重復(fù),！或者,，可以使用卷對卷 ALD，其中當(dāng)使用許多涂布頭時,，卷速可以很高（與空間 ALD 相比）,。

但當(dāng) ALD 應(yīng)用于粉末等高比表面積基底時，由于吹掃需要消耗大量時間,，因此每個 cycle 的生長時間會更長,，甚至長達 1 小時。

Part2

原子層沉積需要的溫度

在 ALD 中,，適合沉積的基板溫度范圍為室溫至 800℃,，但大多數(shù)沉積發(fā)生在 100-200℃ 左右。當(dāng)溫度高于 100°C 時,，通常用作反應(yīng)物之一的水蒸氣會從基板和壁上快速蒸發(fā)，因此使用高于 100°C 的溫度,，前驅(qū)體之間的循環(huán)速度會更快。

在高溫下,，某些材料可以實現(xiàn)外延生長,。若沉積層與基底晶型匹配,，即可形成單晶涂層,，這就是所謂的原子層外延！

Part3

原子層沉積工藝支持的涂層類型

技術(shù)行業(yè)和學(xué)術(shù)界對可用于 ALD 的材料進行了廣泛的研究,，該列表每年都會不斷更新,。以下是我們?yōu)槟x可使用的材料：

1氧化物：Al2O3,、CaO、CuO,、Er2O3、Ga2O3,、 HfO2,、La2O3,、MgO、Nb2O5,、Sc2O3,、SiO2 ,、Ta2O5、TiO2,、VXOY,、Y2O3、Yb2O3,、ZnO 等

2氮化物：AlN、GaN,、TaNX,、TiAlN,、TiNX 等

3碳化物：TaC,、TiC 等

4金屬：Ir,、Pd,、Pt,、Ru 等

5硫化物：ZnS、SrS 等

6氟化物：CaF2,、LaF3、MgF2,、SrF2等

7生物材料：Ca10(PO4)6(OH)2（羥基磷灰石）等

8聚合物：PMDA–DAH、PMDA–ODA 等

還可以使用 ALD 進行摻雜和混合不同的結(jié)構(gòu),，形成金屬有機雜化物。

ALD 涂層配方（彩色部分為主體元素可形成的化合物）

關(guān)于 Forge Nano 

Forge Nano 專注于粉末原子層沉積技術(shù)（PALD),，憑借其專有的 Atomic Armor? 技術(shù)，能夠使產(chǎn)品開發(fā)人員設(shè)計任何材料直至單個原子,。Atomic Armor? 工藝生產(chǎn)的卓越表面涂層使合作伙伴能夠釋放材料的最佳性能，實現(xiàn)延長壽命,、提高安全性、降低成本和優(yōu)化產(chǎn)品的功能,。其科學(xué)家團隊與廣泛的商業(yè)合作伙伴合作開發(fā)定制解決方案,，能夠滿足任何規(guī)模的任何需求,，包括從小規(guī)模研發(fā)、實驗室級別到工業(yè)規(guī)模,、大批量生產(chǎn)。