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【展商推薦】山東力冠微電子裝備有限公司邀您出席2024半導(dǎo)體行業(yè)用金剛石材料技術(shù)大會


來源:中國粉體網(wǎng) 粉享匯   粉享匯

[導(dǎo)讀]  2024半導(dǎo)體行業(yè)用金剛石材料技術(shù)大會將于2024年12月24日在鄭州舉辦,。

中國粉體網(wǎng)訊  隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,材料創(chuàng)新成為突破性能瓶頸的關(guān)鍵,。金剛石憑借其卓越的硬度、導(dǎo)熱性及潛在的半導(dǎo)體特性,,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的多個環(huán)節(jié)中已展現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿蛻?yīng)用價值,。其中,金剛石微粉作為磨拋料,,以其超精密加工能力,顯著提升了半導(dǎo)體晶片的表面質(zhì)量和生產(chǎn)效率,,成為半導(dǎo)體制造不可或缺的一環(huán),。


從2024半導(dǎo)體行業(yè)用金剛石材料技術(shù)大會組委會獲悉,本屆會議將于2024年12月24日在鄭州舉辦,。山東力冠微電子裝備有限公司將出席本次大會,現(xiàn)場交流前沿技術(shù),、市場,。


企業(yè)介紹





山東力冠微電子裝備有限公司成立于2013年,,同年6月正式成為中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會會員;2018年11月,,被山東省科技廳認(rèn)定為“高新技術(shù)企業(yè)”,;2019年3月被第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟評為副理事長單位,,同年9月榮獲中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽·國際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽優(yōu)勝獎;2022年,、2023年分別被山東省工信廳認(rèn)定為“創(chuàng)新型中小企業(yè)”與“專精特新中小企業(yè)”,。


作為一家國家高新技術(shù)企業(yè),公司常年與國內(nèi)知名半導(dǎo)體企業(yè),、科研院校等保持密切合作,公司產(chǎn)品涵蓋第一代至第四代半導(dǎo)體材料工藝裝備,,均擁有自主知識產(chǎn)權(quán),,完全自主可控,被廣泛應(yīng)用于集成電路,、功率半導(dǎo)體,、化合物半導(dǎo)體,、5G芯片、光通信,、MEMS等新型電子器件制造領(lǐng)域,。經(jīng)過十年的發(fā)展,已成為一家集研發(fā)、生產(chǎn),、銷售為一體的半導(dǎo)體材料工藝裝備制造商。


部分產(chǎn)品介紹


1,、液相法SiC長晶爐設(shè)備




產(chǎn)品概述液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實現(xiàn)SiC單晶的生長,,理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅(qū)動力來實現(xiàn)晶體的生長,。


產(chǎn)品特點


晶體尺寸:6/8英寸

溫度范圍:溫度1500-2100℃

真空度:1*10-3pa

提拉/坩堝桿:升降0.2-400mm/h,旋轉(zhuǎn)0.5-50rpm

稱重:6kg    精度:0.01g


2,、LPCVD 臥式爐管設(shè)備



產(chǎn)品概述


LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一,,主要用于Poly, D/P Poly, SiN,SiO2薄膜的生長,。


產(chǎn)品特點


裝載采用碳化硅(SiC)懸臂槳,避免了與工藝管磨擦產(chǎn)生粉塵

溫度控制采用串級控制方式,,對基片實際溫度進(jìn)行實時智能控制

工作壓力閉環(huán)自動控制,,提高工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性

可根據(jù)客戶需求配置多工藝組合的機(jī)臺


技術(shù)指標(biāo)


晶片尺寸:6/8英寸晶圓

制程溫度范圍:500°C-900°C

恒溫區(qū)長度:≥800mm

控溫精度:±1°C


3、MPCVD設(shè)備



產(chǎn)品概述


本設(shè)備主要是用于制備單晶金剛石,。可激發(fā)高穩(wěn)定度的等離子團(tuán),,從而確保單晶生長的持續(xù)性,為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證,。


技術(shù)指標(biāo)


測溫: 300-1500°C

極限真空:≤10Pa 

氣路系統(tǒng): 6路

壓力范圍: 5-300Torr

微波功率: 0.5-15Kw連續(xù)可調(diào)

功率穩(wěn)定性:<2%

波紋:≤1%

微波頻率: 2450MHz士50MHz

微波泄露值:<5Mw/cm²

放電區(qū)域:≥100mm

沉積區(qū)域:≥80mm

生長速率: >12um



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會務(wù)組

聯(lián)系人:劉文寶

電 話:13693335961(同微信)    

Email :[email protected]




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