中國(guó)粉體網(wǎng)訊  10月10日，據(jù)Tom's hardware報(bào)道,，美國(guó)的軍事裝備已感受到中國(guó)限制芯片材料氮化鎵出口造成的影響,，面對(duì)中國(guó)在寬帶隙半導(dǎo)體材料—氮化鎵（GaN）供應(yīng)方面的強(qiáng)勢(shì)地位及其近期的出口管制措施，美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局（DARPA）已采取行動(dòng),，委托雷神（Raytheon）公司開(kāi)發(fā)基于人造金剛石和氮化鋁（AlN）的超寬帶隙半導(dǎo)體,，以確保美國(guó)的軍事裝備生產(chǎn)，顯示出中國(guó)也能卡美國(guó)的脖子,。

圖源：Raytheon官網(wǎng)

氮化鎵作為一種先進(jìn)的寬帶隙半導(dǎo)體材料,，因其3.4eV的高帶隙值，在高功率和高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,，成為當(dāng)前雷達(dá)和通信系統(tǒng)的重要組成部分,。然而，中國(guó)控制著全球大部分的氮化鎵供應(yīng)，并對(duì)其實(shí)施了出口管制,，這對(duì)依賴此類材料的美國(guó)軍事和通信技術(shù)構(gòu)成了潛在威脅,。

Raytheon的目標(biāo)是利用人造金剛石和氮化鋁這兩種新材料，開(kāi)發(fā)出性能更優(yōu)越,、適應(yīng)性更強(qiáng)的功率芯片和射頻放大器,，包括在協(xié)同傳感、電子戰(zhàn),、定向能以及集成到高超音速等高速武器系統(tǒng)中的應(yīng)用,。

人造金剛石憑借5.5eV的超寬帶隙，其高頻性能,、高電子遷移率,、極端熱管理能力和更高功率處理能力均超越了氮化鎵，成為潛在的理想替代材料,。而氮化鋁的帶隙更是高達(dá)6.2eV,，進(jìn)一步提升了其在高功率、高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì),。

根據(jù)DARPA的合同要求,，雷神公司的先進(jìn)技術(shù)團(tuán)隊(duì)將分階段推進(jìn)這一項(xiàng)目。在第一階段,，團(tuán)隊(duì)將專注于開(kāi)發(fā)基于金剛石和氮化鋁的半導(dǎo)體薄膜,，為后續(xù)的應(yīng)用打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。第二階段則將致力于研發(fā)和改進(jìn)金剛石和氮化鋁技術(shù),，以支持更大直徑的晶圓生產(chǎn),，特別是針對(duì)傳感器應(yīng)用的需求。這兩個(gè)階段的工作必須在三年內(nèi)完成,，凸顯了項(xiàng)目的緊迫性和重要性,。

“這是向前邁出的重要一步，將再次徹底改變半導(dǎo)體技術(shù),，”Raytheon 先進(jìn)技術(shù)總裁 Colin Whelan 說(shuō),。“Raytheon 在為國(guó)防部系統(tǒng)開(kāi)發(fā)類似材料（如砷化鎵和氮化鎵）方面擁有豐富的成熟經(jīng)驗(yàn),。通過(guò)將這一開(kāi)創(chuàng)性的歷史和我們?cè)谙冗M(jìn)微電子方面的專業(yè)知識(shí)相結(jié)合,，我們將努力使這些材料成熟起來(lái)，迎接未來(lái)的應(yīng)用,�,！�

參考來(lái)源：

Tom's hardware官網(wǎng)，Raytheon官網(wǎng),，磨料磨具

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/輕言）

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