中國粉體網(wǎng)訊 近兩年,，金剛石逐漸成為了半導體行業(yè)的熱點。
金剛石作為寬禁帶甚至超寬帶隙半導體材料的一員（禁帶寬度5.5 eV）,，具有優(yōu)異的物理和化學性質(zhì),，如高載流子遷移率、高熱導率,、高擊穿電場,、高載流子飽和速率和低介電常數(shù)等。作為集優(yōu)異的電學、光學,、力學,、熱學和化學等特性于一身的超寬禁帶半導體，金剛石被譽為“終極半導體材料”,、“終極室溫量子材料”,。
目前，業(yè)界對金剛石的關(guān)注程度越來越高,，優(yōu)勢資源不斷匯集,，也加速了研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化速度。
金剛石又“長大”了
8月1日,，寧波晶鉆科技股份有限公司研制出產(chǎn)品尺寸60mm×60mm,，長邊尺寸72.29mm CVD大尺寸同質(zhì)外延金剛石襯底。換算成半導體行業(yè)晶圓單位約3.35英寸,。這不僅刷新了該企業(yè)的記錄,，而且也是目前已知全球尺寸最大的一顆人造單晶金剛石。
晶鉆科技生產(chǎn)的同質(zhì)外延單晶金剛石產(chǎn)品
CVD金剛石與天然金剛石相比更加地干凈,，幾乎沒有任何雜質(zhì),，且具有極高的擊穿電場、極高的飽和載流子速度及遷移率,、低的介電常數(shù)等優(yōu)異的電學性質(zhì),。因此CVD金剛石材料目前已在半導體領(lǐng)域中獨占鰲頭,。
據(jù)了解,，該金剛石片采用的是同質(zhì)外延生長技術(shù)。微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）是行業(yè)公認的制備大尺寸,、高品質(zhì)單晶金剛石的最佳手段之一,，目前主要有同質(zhì)外延、異質(zhì)外延兩種技術(shù)路線,。相比于異質(zhì)外延生長,，同質(zhì)外延技術(shù)的優(yōu)勢在于其晶體質(zhì)量高，內(nèi)應(yīng)力和位錯密度低,，同時能生長出較大的籽晶原料,，從而提高面積增加效率，但技術(shù)也極具挑戰(zhàn)性,。
晶鉆科技在金剛石“長大”這件事上一直在突破,，自2014年制備出第一顆CVD單晶金剛石以來，歷經(jīng)10余次技術(shù)迭代,，已量產(chǎn)2英寸CVD單晶金剛石,。2023年底，成功制備出3英寸CVD單晶金剛石，目前也已穩(wěn)定批量化生產(chǎn),。如今產(chǎn)品再次升級,，尺寸突破3.35英寸，并正在向4英寸以上單晶金剛石制備發(fā)起沖刺,。
新技術(shù)助力金剛石“成長“加速度
近日,，東京理工大學利用液態(tài)微波等離子體化學氣相沉積法（IL-MPCVD）在高壓低功率條件下也可以制備出金剛石材料。
金剛石是一種具有優(yōu)異性能的極限性超硬多功能材料,，人工合成的金剛石可通過摻雜的方式使其具有各種獨特的性質(zhì),。化學氣相沉積（CVD）技術(shù)是將雜質(zhì)摻入金剛石晶格中的最有效方法,。
通過CVD技術(shù),，P型摻硼金剛石（BDD）已成功實現(xiàn)，從而在半導體到超導體的轉(zhuǎn)變方面取得了突破,。磷摻雜金剛石（PDD）具有優(yōu)異的性能,，因此適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，但由于施主能級較深,，N型摻磷金剛石（PDD）面臨低摻磷效率的挑戰(zhàn),。
盡管其潛力巨大，但高成本和低摻磷效率限制了PDD的實際應(yīng)用,，為了充分利用PDD的優(yōu)勢,，必須開發(fā)出能夠在高摻磷濃度下實現(xiàn)快速生長的新技術(shù)。這些進步將顯著提高PDD的生產(chǎn)效率,，并擴大其在尖端技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用范圍,。
近年來，液相微波等離子體CVD（IL-MPCVD）作為一種高增長率的CVD技術(shù),，受到了廣泛關(guān)注,。據(jù)報道，該團隊用于金剛石材料沉積的反應(yīng)混合物由甲醇（MeOH）和乙醇（EtOH）與三乙基磷酸酯（(C2H5)3PO4）組成,，其中磷碳比為1000 ppm,。他們利用IL-MPCVD在高壓（60 kPa）和低功率（440 W）條件下實現(xiàn)了多晶PDD的高速合成，生長速率達到280 μm/h,，這比傳統(tǒng)的CVD方法高出兩個數(shù)量級,。
該研究成果表明，L-MPCVD在高效合成金剛石方面具有巨大的潛力,。該技術(shù)不僅提高了生長速率,，還能更好地控制摻雜過程，這對于調(diào)整金剛石薄膜的電學和電化學性能至關(guān)重要,。這為金剛石材料在先進電子,、高功率設(shè)備和電化學應(yīng)用中的應(yīng)用開辟了新的可能性,。
來源：DT半導體、晶鉆科技,、半導體材料行業(yè)分會
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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