中國粉體網訊  近年來 IT 技術飛速發(fā)展,，越來越多的器件被要求封裝在更小的空間內,，并且運算速度對器件的工作頻率提出了更高的要求,，使得電子器件在工作時的熱流密度迅速升高,，從而溫度也會不斷升高,。這需要采取有效的散熱措施,。

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迄今為止,，金剛石是已知材料中熱導率最高的，并且其熱膨脹系數很低,，具有良好的電絕緣性,，非常符合電子封裝材料的應用要求。既然如此,，很多人開始研究如何將金剛石這些優(yōu)點應用到電子器件的散熱中去,。

早在2014年，華為技術團隊便與廈門大學電子科學與技術學院于大全教授團隊在Journal of Materials Science & Technology上發(fā)表了“基于反應性納米金屬層的金剛石低溫鍵合技術”成果,。近日,，華為技術團隊與于大全、鐘毅老師團隊,、廈門云天團隊合作在先進封裝玻璃轉接板集成芯片-金剛石散熱技術領域又取得突破性進展。

成果顯示,，合作團隊克服了微凸點保護,、晶圓翹曲等行業(yè)難題，成功將多晶金剛石襯底集成到2.5D玻璃轉接板（Interposer）封裝芯片的背面,，并采用熱測試芯片（TTV）研究其散熱特性,。利用金剛石的超高熱導率,，在芯片熱點功率密度為~2 W/mm2時，集成金剛石散熱襯底使得芯片最高結溫降低高達24.1 ℃,，芯片封裝熱阻降低28.5%,。先進封裝芯片-金剛石具有極為優(yōu)越的散熱性能，基于金剛石襯底的先進封裝集成芯片散熱具有重大的應用前景,。

多晶金剛石襯底集成到玻璃轉接板封裝芯片背面及其散熱性能表征

這項研究將金剛石低溫鍵合與玻璃轉接板技術相結合,，首次實現(xiàn)了將多晶金剛石襯底集成到玻璃轉接板封裝芯片的背面。該技術路線符合電子設備尺寸小型化,、重量輕量化的發(fā)展趨勢,，同時與現(xiàn)有散熱方案有效兼容，成為當前實現(xiàn)芯片高效散熱的重要突破路徑,，并推動了金剛石散熱襯底在先進封裝芯片集成的產業(yè)化發(fā)展,。

該成果以“Heterogeneous Integration of Diamond-on-Chip-on-Glass Interposer for Efficient Thermal Management”為題發(fā)表在微電子器件封裝制造領域的國際權威期刊IEEE Electron Device Letters上，并被選為當期封面文章（Front cover）及編輯精選文章（Editors’ Picks）,。

資料來源：廈門大學電子科學與技術學院

（中國粉體網編輯整理/山川）

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