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單晶硅與多晶硅有哪些區(qū)別?


來源:芯片智造

中國粉體網(wǎng)訊  硅,,我們都知道。但是芯片制程中的硅,,有的用的是單晶硅,,有的用的是多晶硅,。多晶硅與單晶硅的性能差別很大,那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì),?有哪些應用,?又是怎樣制造出來的呢?


什么是晶體,?



晶體是一種固體,,其中的原子、離子或分子按照一定的周期性,,在空間排列形成具有一定規(guī)則的幾何外形,。


常見的晶體材料包括:


金屬晶體:如鐵、銅,、金,、銀等。


離子晶體:NaCl,CuSO4


介質(zhì)晶體:氧化硅,,氮化硅等可以是晶體,,也可以是非晶體


半導體晶體:如硅、鍺等,。


什么是單晶硅與多晶硅,?


單晶(single crystal),指物質(zhì)內(nèi)部的原子或離子或分子的排列是整齊劃一的,,從一端到另一端都保持相同的取向,,整個晶體只有一個晶向,不含晶界,。


多晶(polycrystal),,指的是某物質(zhì)由許多小的晶粒(單晶)組成,每個晶粒都有自己獨特的晶體取向,。這些晶粒在宏觀尺度上是隨機取向的,,但是每一個晶粒內(nèi)部的取向是一致的。


因此單晶硅里只有一個晶向,,一般是<100>,<110>,<111>這三種晶向,。不同的晶向?qū)τ诎雽w制造過程中的刻蝕、氧化和離子注入等工藝有著不同的影響,,所以選擇適當?shù)木驅(qū)τ趦?yōu)化芯片性能是至關重要的。


而多晶硅(poly-Si)就是多個單晶組成的硅材料,。這些晶粒彼此之間有明顯的晶界,,所以在晶界處存在著方向的不連續(xù)性。


單晶硅與多晶硅的性質(zhì)對比


電學性能:多晶硅與單晶硅相比,,其電學性能略有劣勢,,主要是因為多晶硅晶界處會形成載流子的散射中心,。而單晶硅由于無晶界和結構的連續(xù)性,具有更高的電子遷移率,。


外觀:單晶硅在拋光后像一面鏡子,,這是因為當光照射在單晶硅上時,它會以相同的方式和方向反射,。而當光照射在多晶硅上時,,由于每個晶粒對于光的反射會有所不同,導致其外觀呈現(xiàn)出顆粒狀,。


單/多晶硅在芯片中的應用,?


單晶硅


1,單晶硅片,,作襯底

2,,某些芯片產(chǎn)品需要單晶硅薄層



多晶硅


1,在MOSFET中,,多晶硅常用作柵極材料,。與氧化硅絕緣層相結合,多晶硅是晶體管控制電流流動的關鍵部件,。


2,,可以用在太陽能電池,液晶顯示器中,。



3,,作為犧牲層。在MEMS制造過程中,,犧牲層用于創(chuàng)建一個暫時的結構,,稍后會將其去除,釋放形成永久結構,。


單晶硅與多晶硅如何制作,?


如果做基板來用,單晶硅一般采用CZ法或FZ法,,而多晶硅則采用Block Casting,,F(xiàn)BR,Siemens法,。


如果是在芯片中成膜,,則單晶硅需要用CVD外延,分子束外延等,。而多晶硅則可以用CVD,,PVD等。


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/星耀)

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