中國粉體網(wǎng)訊 專利摘要顯示,，本發(fā)明涉及導(dǎo)熱材料技術(shù)領(lǐng)域,，尤其涉及IPC C08K3領(lǐng)域,，更具體的，涉及一種超高導(dǎo)熱立方氮化硼基導(dǎo)熱墊片及其制備方法,。按重量份計(jì),，所述墊片的制備原料包括：立方氮化硼粉體35‑150份,，金屬氧化物粉體30‑105份，金屬氮化物粉體15‑40份,，改性劑0.2‑0.6份,，乙烯基硅油2‑8份，交聯(lián)劑0.1‑0.8份,，抑制劑0.1‑0.9份,，催化劑0.2‑1份。所述改性劑包括辛基三甲氧基硅烷,、六甲基二硅氮烷,，所述辛基三甲氧基硅烷、六甲基二硅氮烷重量比為1：(0.2‑2),，可提高體系中多種填料間的分散性能,，同時(shí)控制硬度shore 00在20左右，導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)到18W(m·K)以上,。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/長蘇）
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