中國(guó)粉體網(wǎng)訊  在各類(lèi)人造金剛石技術(shù)中，微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)單晶金剛石生長(zhǎng)技術(shù)由于其微波能量無(wú)污染,、氣體原料純凈等優(yōu)勢(shì)而在眾多單晶金剛石制備方法中脫穎而出，成為制備大尺寸,、高品質(zhì)單晶金剛石最有發(fā)展前景的技術(shù)之一,。

(圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電公眾號(hào))

據(jù)晶盛機(jī)電消息，近日,，晶盛機(jī)電晶體實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過(guò)半年多的工藝測(cè)試,，全自動(dòng)MPCVD法生長(zhǎng)金剛石設(shè)備（型號(hào)XJL200A）成功生長(zhǎng)出高品質(zhì)寶石級(jí)的金剛石晶體。此次XJL200A金剛石生長(zhǎng)爐成功解決了傳統(tǒng)的MPCVD培育鉆石生長(zhǎng)技術(shù)的行業(yè)痛點(diǎn)：對(duì)多晶及生長(zhǎng)裂紋等缺陷的判斷,、對(duì)晶體溫度和生長(zhǎng)厚度等關(guān)鍵生長(zhǎng)參數(shù)的控制都依賴人工判斷,，克服了目前人工培育鉆石過(guò)程中質(zhì)量控制和規(guī)模化生產(chǎn)的瓶頸,。

(圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電公眾號(hào))

該設(shè)備經(jīng)過(guò)長(zhǎng)晶測(cè)試表明,，能一次可以實(shí)現(xiàn)20顆以上4-5克拉毛坯鉆石的生產(chǎn)能力，設(shè)備穩(wěn)定性好,，綜合生長(zhǎng)良率高,，為大規(guī)模的生產(chǎn)提供了自動(dòng)化操作的基礎(chǔ)。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人表示,，目前已經(jīng)完成了設(shè)備定型和批量工藝開(kāi)發(fā),，設(shè)備即將投放市場(chǎng)，能為客戶提供一站式解決方案,。

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷發(fā)展,，越來(lái)越多的半導(dǎo)體材料被應(yīng)用于電子器件中。普通半導(dǎo)體材料受其性能約束,，在高溫條件下的應(yīng)用受到限制,。而金剛石半導(dǎo)體器件具有高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率和低介電常數(shù)等優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì),，能夠在高頻,、大功率和高溫高壓等十分惡劣的環(huán)境中運(yùn)行。金剛石通過(guò)摻雜可呈現(xiàn)ｎ型導(dǎo)電和ｐ型導(dǎo)電,，性能遠(yuǎn)超GaAs,，GaN和SiC等材料，是目前最有希望的寬禁帶高溫半導(dǎo)體材料,。此外,，由于金剛石帶隙很寬，在半導(dǎo)體領(lǐng)域中,，既能作為有源器件材料（如場(chǎng)效應(yīng)管和功率開(kāi)關(guān)），也能作為無(wú)源器件材料（如肖特基二極管等）。隨著金剛石的電學(xué)和熱學(xué)性能的逐步開(kāi)發(fā),，金剛石會(huì)使超大規(guī)模集成電路和超高集成電路的發(fā)展進(jìn)入一個(gè)新紀(jì)元,。

參考來(lái)源：

[1] 晶盛機(jī)電公眾號(hào)

[2] 陳亞男等.金剛石半導(dǎo)體材料和器件的研究現(xiàn)狀

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除