中國(guó)粉體網(wǎng)訊 隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,，集成電路的散熱性問(wèn)題逐漸得到重視。高純AlN單晶的熱導(dǎo)率最高可達(dá)到319W/(m·K),。其具有高熱導(dǎo)率,、高溫絕緣性和優(yōu)良介電性能、良好耐腐蝕性,、與半導(dǎo)體Si相匹配的膨脹性能等優(yōu)點(diǎn),。因此成為優(yōu)良的電子封裝散熱材料，能高效地散除大型集成電路的熱量,，是組裝大型集成電路所必需的高性能陶瓷基片材料,。
AlN的導(dǎo)熱機(jī)理
在氮化鋁一系列重要的性質(zhì)中，最為顯著的是較高的熱導(dǎo)率,。關(guān)于氮化鋁的導(dǎo)熱機(jī)理,，國(guó)內(nèi)外已做了大量研究，并已形成了較為完善的理論體系,。主要機(jī)理為：通過(guò)點(diǎn)陣或晶格振動(dòng),，即借助晶格波或熱波進(jìn)行熱傳遞。量子力學(xué)的研究結(jié)果表明,，晶格波可以作為一種粒子−聲子的運(yùn)動(dòng)來(lái)處理,。熱波同樣具有波粒二象性。載熱聲子通過(guò)結(jié)構(gòu)基元(原子,、離子或分子)間進(jìn)行相互制約、相互協(xié)調(diào)的振動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)熱的傳遞,。其熱導(dǎo)率主要由晶體缺陷和聲子自身對(duì)聲子散射控制,。
AlN的熱導(dǎo)率理論上可達(dá)320W/(m·K)，但是由AlN缺陷,，導(dǎo)致產(chǎn)生鋁空位而散射聲子,，使得實(shí)際產(chǎn)品的熱導(dǎo)率不到200W/(m·K)。AlN主要靠聲子傳熱,，在熱傳輸過(guò)程中,，晶體中的缺陷、晶界,、氣孔,、電子以及聲子本身都會(huì)產(chǎn)生聲子散射，從而影響AlN基板的熱導(dǎo)率,。
燒結(jié)工藝
高導(dǎo)熱氮化鋁基片的燒結(jié)工藝重點(diǎn)包括燒結(jié)方式,、燒結(jié)助劑的添加、燒結(jié)氣氛的控制等,。
1,、添加燒結(jié)助劑
對(duì)于陶瓷致密燒結(jié),，添加助燒劑無(wú)疑是最為經(jīng)濟(jì)、有效的方法,。AlN陶瓷可選用的燒結(jié)助劑有CaO,、Li2O、B2O3,、Y2O3,、CaF2、CaC2以及CeO2等,。這些材料在燒結(jié)過(guò)程發(fā)揮著雙重作用,，首先與表面的Al2O3結(jié)合生成液相鋁酸鹽，在粘性流動(dòng)作用下,，加速傳質(zhì),，晶粒周圍被液相填充，原有的粉料相互接觸角度得以調(diào)整,，填實(shí)或者排出部分氣孔,，促進(jìn)燒結(jié)。同時(shí)助燒劑可與氧反應(yīng),，降低晶格氧含量,。
2、燒結(jié)方式
目前AlN基片較常用的燒結(jié)工藝一般有5種,，即熱壓燒結(jié),、無(wú)壓燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)(SPS),、微波燒結(jié)和自蔓延燒結(jié),。
（1）熱壓燒結(jié)
熱壓燒結(jié)是在加熱粉體的同時(shí)進(jìn)行加壓，利用通電產(chǎn)生的焦耳熱和加壓造成的塑性變形來(lái)促進(jìn)燒結(jié)過(guò)程的進(jìn)行,。相對(duì)于無(wú)壓燒結(jié)來(lái)說(shuō),，熱壓燒結(jié)的燒結(jié)溫度要低得多，而且燒結(jié)體致密,，氣孔率低,，但其加熱、冷卻所需時(shí)間較長(zhǎng),，且只能制備形狀不太復(fù)雜的樣品,。熱壓燒結(jié)是目前制備高熱導(dǎo)率致密化AlN陶瓷的主要工藝。
（2）無(wú)壓燒結(jié)
由于AlN具有很強(qiáng)的共價(jià)性,，故其在常壓燒結(jié)時(shí)需要的燒結(jié)溫度很高,。在常壓燒結(jié)條件下，添加了Y203的AlN粉能產(chǎn)生液相燒結(jié)的溫度為1600℃以上，且燒結(jié)溫度要受AlN粒度,、添加劑種類及添加劑的含量等因素的影響,。常壓燒結(jié)的燒結(jié)溫度一般為1600～2000℃，保溫時(shí)間為2h,。
（3）放電等離子燒結(jié)(SPS)
放電等離子燒結(jié)是20世紀(jì)90年代發(fā)展并成熟的一種燒結(jié)技術(shù),，它利用脈沖大電流直接施加于模具和樣品上，產(chǎn)生體加熱使被燒結(jié)樣品快速升溫,；同時(shí),，脈沖電流引起顆粒間的放電效應(yīng)，可凈化顆粒表面,，實(shí)現(xiàn)快速燒結(jié),，有效地抑制顆粒長(zhǎng)大。使用SPS技術(shù)能夠在較低溫度下進(jìn)行燒結(jié),，且升溫速度快,，燒結(jié)時(shí)間短。
（4）微波燒結(jié)
微波燒結(jié)是利用特殊頻段的電磁波與介質(zhì)的相互耦合產(chǎn)生介電損耗,，使坯體整體加熱的燒結(jié)方法,。微波同時(shí)提高了粉末顆粒活性,，加速物質(zhì)的傳遞,。微波燒結(jié)也是一種快速燒結(jié)法，同樣可保證樣品安全衛(wèi)生無(wú)污染,。雖然機(jī)理與放電等離子體燒結(jié)有所不同,，但是兩者都能實(shí)現(xiàn)整體加熱,，才能極大地縮短燒結(jié)周期,，所得陶瓷晶體細(xì)小均勻,。
（5）自蔓延燒結(jié)
在超高壓氮?dú)庀吕米月痈邷睾铣煞磻?yīng)直接制備AlN陶瓷致密材料。這種工藝不需要外加能源,，合成迅速,，而且可以制造形狀復(fù)雜的AlN陶瓷部件,，缺點(diǎn)是高溫燃燒反應(yīng)下原料中的Al易熔融而阻礙氮?dú)庀蛎鲀?nèi)部滲透,，影響了反應(yīng)轉(zhuǎn)化率，難以得到致密度高的AlN陶瓷,。
3 ,、燒結(jié)氣氛
在AlN陶瓷的燒結(jié)工藝中，燒結(jié)氣氛的選擇也十分關(guān)鍵的,。一般的AlN陶瓷燒結(jié)氣氛有3種：還原型氣氛,、弱還原型氣氛和中性氣氛。還原性氣氛一般為CO,，弱還原性氣氛一般為H2,，中性氣氛一般為N2,。在還原氣氛中，AlN陶瓷的燒結(jié)時(shí)間及保溫時(shí)間不宜過(guò)長(zhǎng),，燒結(jié)溫度不宜過(guò)高,，以免AlN被還原。在中性氣氛中不會(huì)出現(xiàn)上述情況,。所以一般選擇在氮?dú)庵袩Y(jié),，這樣可以獲得性能更好的AlN陶瓷。
目前,，國(guó)內(nèi)氮化鋁材料的研究制造水平相比國(guó)外還有不小差距,，研究基本停留在各大科研院所高校、真正能夠獨(dú)立產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的機(jī)構(gòu)極少,。未來(lái)需把精力投入到幾種方法的綜合利用或新型陶瓷燒結(jié)技術(shù)研發(fā)上,，減小生產(chǎn)成本，使得AlN陶瓷產(chǎn)品的種類豐富,，外形尺寸結(jié)構(gòu)多樣化,、滿足多種領(lǐng)域應(yīng)用的需求。
為促進(jìn)氮化鋁陶瓷基板產(chǎn)業(yè)技術(shù)的發(fā)展,，中國(guó)粉體網(wǎng)旗下粉體公開(kāi)課平臺(tái)將于2021年2月2日舉辦首屆“2021氮化鋁陶瓷粉體及基板技術(shù)網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)”,。為企業(yè)管理、技術(shù)人員提供一個(gè)深度交流,、深入思考,、磨煉內(nèi)功、強(qiáng)化自身的平臺(tái),。來(lái)自浙江工業(yè)大學(xué)的喬梁副教授將走進(jìn)粉體公開(kāi)課的直播間,，給大家?guī)?lái)題為《氮化鋁陶瓷基板的燒結(jié)理論與實(shí)踐》的報(bào)告。屆時(shí),，喬梁副教授將簡(jiǎn)要介紹氮化鋁陶瓷基板的制備工藝流程,，然后從氮化鋁陶瓷的導(dǎo)熱機(jī)制、燒結(jié)機(jī)理與燒結(jié)實(shí)踐等方面詳細(xì)介紹高熱導(dǎo)率氮化鋁陶瓷基板燒結(jié)中的工藝控制原理,。
喬梁,，博士，副教授,，浙江工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,、浙江工業(yè)大學(xué)磁電功能材料研究所教師。長(zhǎng)期從事先進(jìn)陶瓷材料的磁,、電,、熱性能以及制備技術(shù)研究，研究領(lǐng)域有燃燒合成氮化鋁/鍶鐵氧體陶瓷粉體、碳熱還原合成氮化鋁陶瓷粉體,、氧化鋁/氮化鋁陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化,、氮化鋁陶瓷低溫?zé)Y(jié)、氧化鋯/鐵氧體陶瓷注射成型,、功能復(fù)合材料等,。發(fā)表SCI、EI論文三十余篇,，獲得授權(quán)專利二十余項(xiàng),。
參考來(lái)源：
[1]王超等.AlN陶瓷基板材料的典型性能及其制備技術(shù)
[2]李友芬等.AIN陶瓷燒結(jié)技術(shù)研究進(jìn)展
[3]袁文杰等.高熱導(dǎo)率氮化鋁陶瓷的研究進(jìn)展
[4]張?jiān)频?高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷燒結(jié)技術(shù)研究進(jìn)展
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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