中國粉體網訊  中科院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所日前發(fā)布信息稱，該所超導實驗室石墨烯課題組在國際上首次通過引入氣態(tài)催化劑的方法,，實現(xiàn)了石墨烯單晶在六角氮化硼表面的高取向,、快速生長，標志著我國在制備石墨烯單晶的研究中再獲重要突破,。該方法為在介質襯底上制備高質量石墨烯單晶薄膜提供全新的思路和技術方案,，具有可觀的產業(yè)化應用前景。

　　據該所王浩敏研究員介紹,，自2011年起，上海微系統(tǒng)所石墨烯團隊就開始開展在六方氮化硼襯底上外延生長石墨烯單晶,，及其結構和性能表征工作,，并取得了一系列成果。他們在前期掌握石墨烯形核控制,、確定單晶和襯底取向關系的基礎上,，以乙炔為碳源，創(chuàng)新性地引入硅烷作為催化劑,，通過化學氣相外延的方法制備晶疇尺寸超過20微米的石墨烯單晶,，生長速率較之前文獻報道的提高了兩個數(shù)量級，使氣相催化在石墨烯制備上邁出了一大步,。

　　王浩敏研究員告訴記者,，在六角氮化硼這類電介質表面直接生長石墨烯單晶，一直是橫亙在整個石墨烯研究領域的一項巨大難題,，他們研究開發(fā)的氣態(tài)催化方法突破了這一難題,，在國際同行中處于領先位置，目前已經申請專利,。