美國科學(xué)家開發(fā)出一種簡單、可行的碳納米管混合物的凈化方式。其可借助紫外線和空氣中的氧生成凈化的半導(dǎo)性納米管，這對發(fā)展下一代計算機芯片具有非凡價值,。相關(guān)文章發(fā)表于近期的《納米快報》網(wǎng)絡(luò)版。

    由于碳納米管具有獨特的形狀和電子性能,，極有希望成為未來電子元件制造的主要原材料,。然而,，碳原子的排列方式不同，可使納米管呈現(xiàn)出高導(dǎo)電（金屬性）或半導(dǎo)電的性質(zhì),。多達三分之一的新合成的碳納米管樣本都顯示出金屬的高導(dǎo)性質(zhì)，這為制造基于半導(dǎo)性的晶體管等電子設(shè)備增添了不少麻煩,。

    由于金屬的阻力最小,，電流將只通過高導(dǎo)性的碳納米管。之前的研究一直依賴于將金屬性碳納米管分離出來,，以解決這個棘手問題�,，F(xiàn)在，來自美國南加州大學(xué)的研究小組開發(fā)出了一種更簡易的方式：通過紫外線使碳納米管發(fā)生氧化,，在金屬性納米管的碳原子結(jié)構(gòu)內(nèi)形成缺陷,，從而使均化的納米管顯現(xiàn)出半導(dǎo)體的性質(zhì)。

    在正確的波長范圍內(nèi),，紫外線將破壞空氣中的氧分子,，產(chǎn)生氧自由基和臭氧。它們將攻擊碳納米管,，使其表面附著上氧分子群,。這一過程不會對半導(dǎo)性碳納米管造成很大影響，卻能顯著降低金屬性碳納米管的導(dǎo)電性,。

    英國薩里大學(xué)的碳納米管專家大衛(wèi)·凱里表示,，高導(dǎo)性至半導(dǎo)性的轉(zhuǎn)換使得碳納米管具備了出色的晶體管特性，使用碳納米管制成的半導(dǎo)體設(shè)備具有很大潛力,。通過去除金屬性納米管,，可增加晶體管的開關(guān)電流比率，實現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的真正關(guān)閉,。更重要的是,，這一過程能使大量的材料即刻實現(xiàn)轉(zhuǎn)換，或者說可以在制造過程的最后一步進行這種轉(zhuǎn)換,。凱里認為,，這一成果為制造基于碳納米管的納米電子設(shè)備打開了大門。

    英國南安普敦大學(xué)的愛莉絲·南德哈庫瑪博士則顯得更為慎重,，她認為仍需進行進一步的研究,，以確證這一成果的產(chǎn)業(yè)推廣可能性。但她同時表示,，如能實現(xiàn)此項成果的真正應(yīng)用,，這無疑將是一項令人振奮的突破。