中國(guó)粉體網(wǎng)訊 20世紀(jì)50年代起半導(dǎo)體材料開(kāi)始發(fā)展,,至今為止開(kāi)啟了第三代半導(dǎo)體的時(shí)代,。碳化硅(SiC)憑借眾多優(yōu)良性能,使其成為基于寬帶隙半導(dǎo)體的高溫,、高電壓,、大功率、高頻電子器件和傳感器的襯底上的理想材料,。與此同時(shí),,近年來(lái)[更多]
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