推薦氮化鋁：半導體領域一直在“征服”的材料

中國粉體網(wǎng)訊 氮化鋁屬于典型的第三代半導體材料,，它具有特寬禁帶和非常大的激子束縛能,，其中禁帶寬度為6.2eV，屬于直接帶隙半導體,。由于氮化鋁具有多種突出的優(yōu)異物理性能,，如高的擊穿場強,、熱導率、電阻率等,，在半導體領域中一直備受[更多]