中國粉體網(wǎng)訊 氮化鋁屬于典型的第三代半導體材料,,它具有特寬禁帶和非常大的激子束縛能,其中禁帶寬度為6.2eV,,屬于直接帶隙半導體,。由于氮化鋁具有多種突出的優(yōu)異物理性能,如高的擊穿場強,、熱導率,、電阻率等,在半導體領(lǐng)域中一直備受[更多]
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