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樣品名稱 進口硒化鍺GeSe晶體 性質(zhì) 半導體帶隙 待實驗確定 參數(shù) 純度：＞99.995%尺寸：:~8mm，其他尺寸可定制顏色：黑色 應用 半導體電子器件，傳感器-探測器,，非線性光學，STM-AFM實驗,，光學器件等研究 其他信息 詳情請發(fā)郵件至：mknano@*******, sale@muk*********,。 單晶 GeSe (Germanium Diselenide) 是利用我們實驗室**技術(shù)生長。我們生長的每塊單晶耗時3個月左右以保證我們?yōu)槟峁?*晶格的單晶,。每塊單晶都是有很好的結(jié)晶性,，分子層間距有較弱的范德華作用力，層狀結(jié)構(gòu)以保證易于剝離,。單層GeSe具有具有很好的光學性質(zhì),，機械性質(zhì)和光學性質(zhì),。 我們實驗室有著進5年的單晶生長經(jīng)驗,，每塊晶體都有很好的可重復性。單晶 GeSe塊體的尺寸可以達到10mm級別,，純度可以達到99.995% 甚至更高的純度,。單 晶 GeSe 沒有其他的雜相，沒有其他的非晶相,。我們的GeSe單晶具有很大的晶疇,，可以得到很大的單層。 另外我們還提供免費的機械剝離和轉(zhuǎn)移技術(shù),。
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11月25日，記者從中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所獲悉,，該所信息功能材料國家重點實驗室研究員謝曉明領(lǐng)導的石墨烯研究團隊在國家重大專項“晶圓級石墨烯材料和器件基礎(chǔ)研究”等項目的支持下,，在國際上首次實現(xiàn)
【科技前沿】科學家發(fā)明柔性電子納米材料-可隨電壓改變形狀發(fā)表時間：2015-11-28 點擊：14 屯特大學MESA+研究中心的研究者和幾個其他機構(gòu)的研究者發(fā)明了一種“柔性電子”納米材料,。
目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法，有膠帶剝離法,、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學氣相沉積法（CVD）,，前兩種方法效率低，不適于大量制備,。而迄今由CVD法制備的石墨烯,，一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼
硒化鍺單晶GeSe的工作原理介紹,？硒化鍺單晶GeSe的使用方法,？硒化鍺單晶GeSe多少錢一臺？硒化鍺單晶GeSe使用的注意事項硒化鍺單晶GeSe的說明書有嗎,？硒化鍺單晶GeSe的操作規(guī)程有嗎,？硒化鍺單晶GeSe的報價含票含運費嗎？硒化鍺單晶GeSe有現(xiàn)貨嗎,？硒化鍺單晶GeSe包安裝嗎,？
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