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硒化鍺單晶GeSe
硒化鍺單晶GeSe

參考價(jià)格

1萬(wàn)元以下

型號(hào)

10660

品牌

HQ graphene

產(chǎn)地

荷蘭

樣本

暫無(wú)
南京牧科納米科技有限公司

會(huì)員

|

第10年

|

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 樣品名稱 進(jìn)口硒化鍺GeSe晶體 性質(zhì) 半導(dǎo)體帶隙 待實(shí)驗(yàn)確定 參數(shù) 純度:>99.995%尺寸::~8mm,其他尺寸可定制顏色:黑色 應(yīng)用 半導(dǎo)體電子器件,,傳感器-探測(cè)器,,非線性光學(xué),STM-AFM實(shí)驗(yàn),,光學(xué)器件等研究 其他信息 詳情請(qǐng)發(fā)郵件至:mknano@*******, sale@muk*********,。      單晶 GeSe (Germanium Diselenide) 是利用我們實(shí)驗(yàn)室**技術(shù)生長(zhǎng)。我們生長(zhǎng)的每塊單晶耗時(shí)3個(gè)月左右以保證我們?yōu)槟峁?*晶格的單晶,。每塊單晶都是有很好的結(jié)晶性,,分子層間距有較弱的范德華作用力,層狀結(jié)構(gòu)以保證易于剝離,。單層GeSe具有具有很好的光學(xué)性質(zhì),,機(jī)械性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)。      我們實(shí)驗(yàn)室有著進(jìn)5年的單晶生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn),,每塊晶體都有很好的可重復(fù)性,。單晶 GeSe塊體的尺寸可以達(dá)到10mm級(jí)別,,純度可以達(dá)到99.995% 甚至更高的純度。單 晶 GeSe 沒有其他的雜相,,沒有其他的非晶相,。我們的GeSe單晶具有很大的晶疇,可以得到很大的單層,。   另外我們還提供免費(fèi)的機(jī)械剝離和轉(zhuǎn)移技術(shù),。

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