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硒化鍺單晶GeSe
硒化鍺單晶GeSe

參考價格

1萬元以下

型號

10660

品牌

HQ graphene

產(chǎn)地

荷蘭

樣本

暫無
南京牧科納米科技有限公司

會員

|

第10年

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 樣品名稱 進口硒化鍺GeSe晶體 性質(zhì) 半導體帶隙 待實驗確定 參數(shù) 純度:>99.995%尺寸::~8mm,其他尺寸可定制顏色:黑色 應用 半導體電子器件,傳感器-探測器,,非線性光學,STM-AFM實驗,,光學器件等研究 其他信息 詳情請發(fā)郵件至:mknano@*******, sale@muk*********,。      單晶 GeSe (Germanium Diselenide) 是利用我們實驗室**技術(shù)生長。我們生長的每塊單晶耗時3個月左右以保證我們?yōu)槟峁?*晶格的單晶,。每塊單晶都是有很好的結(jié)晶性,,分子層間距有較弱的范德華作用力,層狀結(jié)構(gòu)以保證易于剝離,。單層GeSe具有具有很好的光學性質(zhì),,機械性質(zhì)和光學性質(zhì),。      我們實驗室有著進5年的單晶生長經(jīng)驗,,每塊晶體都有很好的可重復性。單晶 GeSe塊體的尺寸可以達到10mm級別,,純度可以達到99.995% 甚至更高的純度,。單 晶 GeSe 沒有其他的雜相,沒有其他的非晶相,。我們的GeSe單晶具有很大的晶疇,,可以得到很大的單層。   另外我們還提供免費的機械剝離和轉(zhuǎn)移技術(shù),。

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