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江蘇南京樣本
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背景介紹：
目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法，有膠帶剝離法,、碳化硅或金屬表面外延生長(zhǎng)法和化學(xué)氣相沉積法（CVD）,，前兩種方法效率低，不適于大量制備,。而迄今由CVD法制備的石墨烯,，一般是由納米級(jí)到微米級(jí)尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。 石墨烯優(yōu)異的電,、光,、強(qiáng)度等眾多優(yōu)異性質(zhì)使其在電子學(xué)、自旋電子學(xué),、光電子學(xué),、太陽(yáng)能電池、傳感器等領(lǐng)域有著重要的潛在應(yīng)用,，但大規(guī)模高質(zhì)量制備技術(shù)是制約其進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用的瓶頸之一。 牧科納米技術(shù)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)攻關(guān),，不用昂貴的金屬基體,，在常見(jiàn)的銅襯底，以低濃度甲烷和高濃度氫氣通過(guò)常壓CVD法,，成功制備出了100微米到幾個(gè)毫米級(jí)六邊形單晶石墨烯及其構(gòu)成的石墨烯薄膜,。而且可以轉(zhuǎn)移到任意襯底上，方便取用,。 該方法轉(zhuǎn)移的單晶石墨烯具有很高的質(zhì)量,，將其轉(zhuǎn)移到Si/SiO2基體上制成場(chǎng)效應(yīng)晶體管，測(cè)量顯示該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達(dá)7100 cm2V-1s-1,。 常見(jiàn)的銅基體上生長(zhǎng)大尺寸單晶石墨烯及其薄膜技術(shù)的突破,，為石墨烯基本物性的研究及其在高性能納電子器件、透明導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ),。 石墨烯單晶表征數(shù)據(jù)： 2000um級(jí)別石墨烯單晶在銅襯底上的光學(xué)顯微鏡照片：
單晶尺寸：2000um
襯底：銅襯底
11月25日,，記者從中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所獲悉,，該所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員謝曉明領(lǐng)導(dǎo)的石墨烯研究團(tuán)隊(duì)在國(guó)家重大專項(xiàng)“晶圓級(jí)石墨烯材料和器件基礎(chǔ)研究”等項(xiàng)目的支持下，在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)
【科技前沿】科學(xué)家發(fā)明柔性電子納米材料-可隨電壓改變形狀發(fā)表時(shí)間：2015-11-28 點(diǎn)擊：14 屯特大學(xué)MESA+研究中心的研究者和幾個(gè)其他機(jī)構(gòu)的研究者發(fā)明了一種“柔性電子”納米材料,。
目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法,，有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長(zhǎng)法和化學(xué)氣相沉積法（CVD）,，前兩種方法效率低,，不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯,，一般是由納米級(jí)到微米級(jí)尺寸的石墨烯晶疇拼
硅基2000um石墨烯單晶的工作原理介紹？硅基2000um石墨烯單晶的使用方法,？硅基2000um石墨烯單晶多少錢一臺(tái),？硅基2000um石墨烯單晶使用的注意事項(xiàng)硅基2000um石墨烯單晶的說(shuō)明書有嗎？硅基2000um石墨烯單晶的操作規(guī)程有嗎,？硅基2000um石墨烯單晶的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎,？硅基2000um石墨烯單晶有現(xiàn)貨嗎？硅基2000um石墨烯單晶包安裝嗎,？
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