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輪廓儀WEP-200E品牌
江蘇晶工產(chǎn)地
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產(chǎn)品說明
輪廓儀WEP-200E為半導體晶圓材料的邊形檢測設(shè)備,，主要用于對倒角后的晶圓邊緣進行輪廓檢測,，確保晶圓倒角后能達到客戶要求的工藝精度。該設(shè)備采用非接觸式測量方式,，可測量邊緣倒角形狀,、面幅、邊緣崩邊情況等?？勺詣哟鎯y量結(jié)果,，需要時可隨意導出測量數(shù)據(jù)，專業(yè)化水平高,，適用于2/3/4/5/6/8/12寸不同材料的晶圓,。
產(chǎn)品技術(shù)標準
以下圖R型倒角為例：面幅度X1、X2測試精度±10um,；R角度測試精度±10um,；圓角幅值Y1、Y2精度控制在±10um以內(nèi),；角度A1,、A2測試偏差±0.5°；notch深度Vh和notch寬度Vw精度控制在±1um以內(nèi)等,。
產(chǎn)品規(guī)格
項目 | 參數(shù) |
型號 | WEP-200E |
晶圓尺寸 | 2-6英寸,、4-8英寸和12英寸 |
晶圓材料 | 硅、鍺,、碳化硅,、氮化鎵、磷化銦,、砷化鎵,、藍寶石、鈮酸鋰等半導體晶圓 |
數(shù)據(jù)讀取和導出 | OK |
邊緣形狀測量功能 | OK |
Notch口形狀測量功能 | OK |
單R,、雙R測量功能 | OK |
Notch寬度,、深度 | ±1μm |
輪廓角度測量重復精度 | ±1° |
晶圓直徑 | ±1μm |
**測量厚度 | 1600um |
倒角寬幅精度 | ±10um |
厚度精度 | ±5μm |
R精度、R重復精度 | ±5um |
暫無數(shù)據(jù),！
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