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6英寸快速退火爐RTP品牌
量伙半導(dǎo)體產(chǎn)地
上海樣本
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-非金屬電熱元件:
其他金屬電熱元件:
其他燒結(jié)氣氛:
其他溫控精度:
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6英寸快速退火爐RTP
LH-RTA-E特點:E系列半自動快速退火爐,,軟件控制取放片,,適用于**6英寸(150mm*150mm)及以下尺寸硅片、第二代,、第三代化合物材料等(包括但不限于,,磷化銦,砷化鎵,,碳化硅,,氮化鎵等各類襯底和外延片),擁有出色的熱源和結(jié)構(gòu)設(shè)計,。
設(shè)備主要規(guī)格(Features):
1.**6英寸 Wafer(單腔體**滿足150mm*150mm材料進(jìn)行加熱處理);2.冷卻方式包括水冷和氮氣吹掃(循環(huán)常溫水冷卻,,軟件可視化監(jiān)控管理,防止外壁過熱,,內(nèi)置氮氣管路,,吹掃腔體,保持清潔,,極速降溫);
3.MFC控制,,1-5路制程氣體,。(品牌MFC控制器,內(nèi)置多路氣氛管路,,可定制開通,,滿足各類測試工藝需求);4.退火溫度范圍 300℃-1000℃(常規(guī)硅基材料溫度適用于850℃,第三代半導(dǎo)體材料**可到1350℃)5.升溫速率 ≤150℃/秒(升溫速度隨不同的材料及裝置會有差異,,標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)是裸片放置內(nèi)測量后得出,,150攝氏度每秒是常規(guī)溫度速率,加熱設(shè)備的極限會更高);
暫無數(shù)據(jù),!