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熱電性能分析系統(tǒng) ZEM-5
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技術(shù)特點(diǎn)：
適用于研究開發(fā)各種熱電材料和薄膜材料，提高測(cè)量精度
溫度檢測(cè)采用C型熱電偶,，*適合測(cè)量Si系列熱電材料(SiGe,， MgSi等) *HT型
真正可測(cè)基板上的納米級(jí)薄膜（TF型）
**可測(cè)10MΩ高電阻材料
標(biāo)準(zhǔn)搭載歐姆接觸自我診斷程序并輸出V/I圖表
基于日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS (熱電能JIS 電阻率JIS R 1650-2)
ZEM-5HT | ZEM-5HR | ZEM-5LT | ZEM-5TF | |
特 點(diǎn) | 高溫型 | 高電阻型 **電阻：10MΩ | 低中溫型 | 薄膜型 可測(cè)在基板上形成的熱電薄膜 |
溫度范圍 | RT-1200℃ | RT-800℃ | -150℃-200℃ | RT-500℃ |
樣品尺寸 | 直徑或正方形：2 to 4 mm2 ； 長(zhǎng)度3 ～ 15mm | 成膜基板：寬2-4mm,，厚0.4-12mm,，長(zhǎng)20mm 薄膜厚度：≥nm量級(jí) 薄膜樣品與基板要求絕緣 | ||
控溫精度 | ±0.5K | |||
測(cè)量精度 | 塞貝克系數(shù)：＜±７％； 電阻系數(shù)：＜±７％ | |||
測(cè)量原理 | 塞貝克系數(shù)：靜態(tài)直流電,； 電阻系數(shù)：四端法 | |||
測(cè)量范圍 | 塞貝克系數(shù)：0.5μV/K_25V/K,；電阻系數(shù)：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ | |||
分辨率 | 塞貝克系數(shù)：10nV/K；電阻系數(shù)：10nOhm | |||
氣 氛 | 減壓Ｈｅ | |||
暫無數(shù)據(jù),！
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