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RIBE反應(yīng)離子束刻蝕系統(tǒng)
NIE-4000(R)RIBE反應(yīng)離子束刻蝕產(chǎn)品概述:如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成,。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下,,樣品表面采用厚膠作為掩模層,,刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱,。除非可以找到有效的方式消除熱量,否則光刻膠將變得非常難以去除。
NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時,,旋轉(zhuǎn)晶圓片以達到想要的均勻度,。
NIE-4000(R)RIBE反應(yīng)離子束刻蝕產(chǎn)品特點:
14.5”不銹鋼立體離子束腔體
16cm DC離子槍1200eV,650mA,, 氣動不銹鋼遮板
離子束中和器
氬氣MFC
6”水冷樣品臺
晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM,,真空步進電機
步進電機控制晶圓片傾斜
自動/手動上下載晶圓片
典型刻蝕速率:銅200 ?/min,, 硅:500 ?/min
6”范圍內(nèi),,刻蝕均勻度+/-3%
極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可達到10-6Torr級別(配套500 l/s渦輪分子泵)
配套1000 l/s渦輪分子泵,,極限真空可達8x10-8Torr
磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
菜單驅(qū)動,,4級密碼訪問保護
完整的安全聯(lián)鎖
NIE-4000(R)RIBE反應(yīng)離子束刻蝕 Features:
14.5" SS Cube ion beam chamber
16 cm DC Ion gun 1000V,, 500 mA ,DC motor driven SS shutters
Ion Beam neutralizer
Ar MFC
Chilled water cooled 6” substrate platen
Wafer rotation 3-10 RPM,, Vacuum stepper motor
Wafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational seal
Manual/Auto wafer load/unload
Typical Etch Rates: 200 ?/min Cu,, 500 ?/min Si
+/-3% etch uniformity over 6“ area
5x 10-6 Torr < 20 minutes <2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo
8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pump
Magnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidation
PC Controlled with LabVIEW Software
Recipe Driven,, Password Protected
Fully Safety Interlocked
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