參考價(jià)格
面議型號(hào)
品牌
產(chǎn)地
山東樣本
暫無(wú)看了多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)的用戶又看了
留言詢價(jià)
虛擬號(hào)將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號(hào)
——眼見為實(shí)：讓磁學(xué)測(cè)試可視化！
致真精密儀器(青島)有限公司生產(chǎn)的多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng),，以自主設(shè)計(jì)的光路結(jié)構(gòu)及奧林巴斯,、索萊博光電元件為基礎(chǔ)制造,，適用于磁性材料/ 自旋電子器件的磁疇成像和動(dòng)力學(xué)研究。
★ 多功能探針臺(tái),，能夠提供面內(nèi),、垂直磁場(chǎng)及多對(duì)直流/ 高頻探針- 磁光成像與自旋輸運(yùn)測(cè)試**結(jié)合！
★高達(dá)1.8T 垂直磁場(chǎng),，1 T 面內(nèi)磁場(chǎng),，4K-800K 變溫，可用于硬磁材料成像研究,。
多功能控制系統(tǒng)
測(cè)試信號(hào)控制
- 垂直/ 面內(nèi)磁場(chǎng)/ 電流/ 微波等多路信號(hào) μs 級(jí)別同步施加,；
- 各信號(hào)的波形、幅度,、頻率,、相對(duì)延時(shí)等參數(shù)輕松調(diào)節(jié)。
圖像處理
- 實(shí)時(shí)作差消背底噪聲,；
- 自動(dòng)糾正震動(dòng)漂移等,。
信號(hào)解析
- 電流、磁場(chǎng)測(cè)試信號(hào)的實(shí)時(shí)顯示,；
- 基于克爾圖像分析,，對(duì)樣品局域 （300 nm） 或全局做磁滯回線掃描。
磁場(chǎng)探針臺(tái)
面內(nèi)磁場(chǎng)
★ 高達(dá)1 T,，反應(yīng)速度50 ms,，精確度0.1 mT。
三路垂直磁鐵任意切換
★磁場(chǎng)1：高達(dá)1.8 T,，反應(yīng)速度50 ms,，精確度0.1 mT；
★磁場(chǎng)2：高達(dá)30 mT,，反應(yīng)速度50 μs,，精確度0.01 mT；
★磁場(chǎng)3：高達(dá)50 mT,，反應(yīng)速度1 μs,， 精確度0.01 mT；
★可配置6 個(gè)直流/ 高頻探針,，配置10 V,，20 MHz任意波形信號(hào)源。
成像效果
★ 克爾成像分辨率300 nm （100 倍物鏡）,； ★ 視野：1.2 mm×1 mm （5 倍物鏡）,； ★ 能檢測(cè)2 個(gè)原子層薄膜的磁性變化。 | CoFeB(1.3 nm)/W(0.2)/CoFeB(0.5) 薄膜中的迷宮疇 |
圖像處理
★ 以任意圖像為背底,，實(shí)時(shí)作差消噪聲,；
★圖像漂移校正,，自動(dòng)添加比例尺等功能。
CoFeB(20 nm) 薄膜中,， [ 面內(nèi)磁場(chǎng)20mT] 驅(qū)動(dòng)磁疇翻轉(zhuǎn) CoTb 亞鐵磁微米線中SOT 驅(qū)動(dòng)的磁性翻轉(zhuǎn) | CoFeB/W/CoFeB 薄膜中的微米大小的磁泡 200 nm 寬的Ta/CoFeB/MgO 線中,， [120 mT， 5 μs] 磁場(chǎng)脈沖驅(qū)動(dòng)疇壁移動(dòng) |
其他功能
★ 分析全局或者局部 （300 nm） 克爾圖像,，獲得磁滯回線,；
★磁滯回線的橫軸可以為面內(nèi)、垂直磁場(chǎng)或者電流等任意激勵(lì)信號(hào),；
★可配置變溫系統(tǒng)：4K-800K 溫度可調(diào),；
★搭配ST-FMR，二次諧波等測(cè)試系統(tǒng)和軟件,；
★預(yù)留各種接口,，可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自主改裝。
應(yīng)用案例
■ 局部磁本征參數(shù)表征
克爾顯微鏡有一套表征幾乎所有磁學(xué)本征參數(shù)的方法,。與其它表征方法相比,，優(yōu)勢(shì)是可以進(jìn)行微小區(qū)域內(nèi)（300 nm） 的局部性質(zhì)表征，為各種磁性調(diào)控實(shí)驗(yàn) （如輻照,、壓控,、光控磁）、以及性質(zhì)不均一的材料表征提供了可能性,。
局部飽和磁化強(qiáng)度MS表征 由于偶極作用，磁疇壁在靠近時(shí)會(huì)相互排斥,。通過(guò)觀察不同磁場(chǎng)下疇壁的距離,，可以提取局部區(qū)域的飽和磁化強(qiáng)度MS。此方法由巴黎- 薩克雷大學(xué)Nicolas Vernier 教授（本公司技術(shù)顧問(wèn)）在2014 年首先提出并驗(yàn)證,。與VSM 測(cè)量結(jié)果得到良好吻合[1],。 | |
局部各向異性能 K 的表征 通過(guò)分析局域克爾圖像明暗變化，可以獲得磁滯回線,，從而提取局部區(qū)域等效各向異性場(chǎng)強(qiáng)度,。 | |
海森堡交換作用常數(shù)Aex 用我們的磁場(chǎng)“自定義波形”功能，將樣品震蕩退磁,，再將得到的迷宮疇圖片進(jìn)行傅里葉變換,，能夠精確得知磁疇寬度，從而提取海森堡交換作用剛度[2],。 | 退磁狀態(tài)下的薄膜材料的磁疇結(jié)構(gòu) |
Dzyaloshinskii-Moriya 作用（ DMI） 的表征 利用面內(nèi)磁場(chǎng)和垂直磁場(chǎng)共同作用下的磁疇壁非對(duì)稱性擴(kuò)張,，能夠測(cè)量薄膜材料的DMI 作用強(qiáng)度?；诖丝钤O(shè)備的得到的成果發(fā)表在Nanoscale 雜志[3],。 |
參考文獻(xiàn)：
[1] Yu Zhang et al. Phys. Rev. Appl. 9,， 064027 (2018).
[2] M. Yamanouchi et al.， IEEE Magn. Lett. 2,， 3000304 (2011).
[3] Anni Cao et al.,， Nanoscale 10， 12062 (2018).
■ 磁疇壁動(dòng)力學(xué)研究
磁場(chǎng),、電流或者其它激勵(lì)下磁疇壁的移動(dòng)速度測(cè)量
方法：施加幅度為B,， 寬度為t 的磁場(chǎng)/ 電流脈沖，在脈沖 前后分別拍攝克爾圖像并作差,，獲得疇壁移動(dòng)距離d,，則速 度v=d/t。 備注：有限視野范圍內(nèi),，超快疇壁運(yùn)動(dòng)的測(cè)量需要超短信 號(hào)脈沖,。本系統(tǒng)配置的 μs 反應(yīng)速度的磁場(chǎng)可實(shí)現(xiàn)200m/s 疇壁速度的測(cè)量。 | 10ms 力波磁場(chǎng)脈沖 4 μs 超快磁場(chǎng)脈沖 |
磁疇壁張力效應(yīng)的觀測(cè)
利用微秒級(jí)別超快磁場(chǎng)脈沖,，可在微小樣品中創(chuàng)造出磁泡,。利用此款高分辨率克爾顯微鏡，**觀察到了磁疇壁在自身張力作用下的自發(fā)收縮過(guò)程[1-3],。
磁疇壁Hall bar 處的釘扎作用
利用磁場(chǎng)脈沖,，我們精確控制磁疇壁在納米線中的位置。觀察磁疇壁的釘扎過(guò)程并測(cè)量解釘扎磁場(chǎng)[1],。
參考文獻(xiàn)：
[1] Xueying Zhang et al.,， Phys. Rev. Appl. 9， 024032 (2018).
[2] Xueying Zhang et al. Nanotechnology 29,， 365502 (2018).
[3] Anni Cao et al.,， IEEE Magn. Lett. 9， 1 (2018).
■ 自旋輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)試+成像
STT 電流驅(qū)動(dòng)的磁疇壁運(yùn)動(dòng)
通過(guò)配備的探針和主控系統(tǒng)的任意波形發(fā)生器,，可向樣品施加50 ns–s 級(jí)別的方波,，觀察磁疇壁運(yùn)動(dòng)并測(cè)量速度。
STT 電流與垂直磁場(chǎng)共同作用下的磁疇壁運(yùn)動(dòng)
在某些材料中,，無(wú)法觀測(cè)到純電流驅(qū)動(dòng)的磁疇壁運(yùn)動(dòng),。這時(shí)，可以利用此設(shè)備μs 級(jí)別的超快磁場(chǎng)脈沖與電流同步,，觀測(cè)垂直磁場(chǎng)+ 電流共同驅(qū)動(dòng)的疇壁運(yùn)動(dòng),，從而解析多種物理效應(yīng)，如重金屬/ 鐵磁體系的自旋極化率由于自旋散射降低的效應(yīng)[1],。
微秒級(jí)精確同步的磁場(chǎng)和電流方波脈沖 |
電流與面內(nèi)磁場(chǎng)共同作用下的磁疇壁運(yùn)動(dòng)
Hall 自旋流與面內(nèi)磁場(chǎng)共同作用,，誘導(dǎo)磁矩翻轉(zhuǎn)，即所謂的SOT 翻轉(zhuǎn)。本設(shè)備配置的面內(nèi)磁場(chǎng)和電學(xué)測(cè)試系統(tǒng),，不但可以實(shí)現(xiàn)這個(gè)過(guò)程的電學(xué)測(cè)試,，還可以利用相機(jī)與信號(hào)采集卡同步的功能，逐點(diǎn)解析翻轉(zhuǎn)曲線對(duì)應(yīng)的磁疇狀態(tài)[2],。
參考文獻(xiàn)：
[1] Xueying Zhang et al.,， Phys. Rev. Appl. 11， 054041 (2019).
[2] Xiaoxuan Zhao et al.,， Nanotechnology 30,， 335707 (2019).
更多應(yīng)用案例，請(qǐng)您致電 010-85120277/78/79/80 或?qū)懶胖?/span> info@qd-********* 獲取,。
測(cè)試數(shù)據(jù)
1. 檢測(cè)磁性材料質(zhì)量
MgO/Co/Pt 樣品： MgO 晶格錯(cuò)位導(dǎo)致的Co 薄膜缺陷,。 在微小磁場(chǎng)作用下，缺陷周圍即出現(xiàn)磁性翻轉(zhuǎn),。 | 質(zhì)量不好磁性薄膜,， 磁性翻轉(zhuǎn)過(guò)程中出現(xiàn)雪花狀磁疇。 | 質(zhì)量?jī)?yōu)良的磁性薄膜,， 磁疇結(jié)構(gòu)均勻,，邊緣光滑。 |
2. 檢測(cè)缺陷位置
缺陷處,，磁疇壁運(yùn)動(dòng)變形,，形成釘扎效。利用高分辨率物鏡,，可以直接觀察缺陷位置（紅圈）,。
3. 自旋電子器件損傷檢測(cè)
自旋電子器件中，在微加工過(guò)程中,，樣品邊緣出現(xiàn)損傷,，導(dǎo)致在磁場(chǎng)作用下穩(wěn)定性下降，邊緣首先出現(xiàn)翻轉(zhuǎn)[1],。
4. 解析磁滯回線結(jié)果
磁光克爾顯微鏡由于具有空間分辨優(yōu)勢(shì),，可以解析磁滯回線對(duì)應(yīng)的磁疇狀態(tài),。如右圖,，由于偶極作用比各向異性占優(yōu)勢(shì)，樣品出現(xiàn)自發(fā)退磁,。 | |
參考文獻(xiàn)：
[1] Yu Zhang et al. Phys. Rev. Appl. 9,， 064027 (2018).
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)的工作原理介紹,？多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)的使用方法？多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)多少錢一臺(tái),？多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)使用的注意事項(xiàng)多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)的說(shuō)明書有嗎,？多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)的操作規(guī)程有嗎？多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎,？多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)有現(xiàn)貨嗎,？多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)包安裝嗎？
手機(jī)版：
工商已核實(shí)
