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等離子沉淀設備
等離子沉積設備SI 500 D
產品介紹高端ICPECVD設備SI 500 D為基于等離子體的沉積工藝提供了優(yōu)異的性能。使用PTSA ICP等離子體源產生的高密度PECVD沉積高質量的介質膜和硅膜,。平行板三螺旋天線（PTSA）保證了沉積薄膜的優(yōu)異性能,，如在非常低的沉積溫度下（＜100°C）實現(xiàn)低刻蝕速率，低應力和低界面態(tài)密度,。特點 *高密度等離子體
*平行板ICP等離子體源
*優(yōu)異的沉積性能
*動態(tài)溫度控制
帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD
產品介紹靈活的PECVD系統(tǒng)SI 500 PPD具有多種標準的等離子沉積工藝,。用電容耦合等離子體沉積 SiO2、SiNx,、 SiOxN揷口a-SL靈活的設計允許使用氣態(tài)或用于PECVD的液體前驅體TEOS,。特點 *工藝靈活性
*預真空室
*SENTECH控制軟件
PECVD等離子沉積設備DEPOLAB 200
產品介紹直接置片的PECVD設備Depolab 200結合了成本效益的直接載片和平行板等離子體源在一起的基本的，緊湊的設計,。易于使用的直接載片系統(tǒng)實現(xiàn)了用戶友好的批量工藝（使用載片器或直接加載到襯底電極）,。智能的PECVD系統(tǒng)可以升級，以達到提高性能的需求,。特點 *低成本效益高
*升級擴展性
*SENTECH控制軟件
原子層沉積設備
SENTECH ALD
產品介紹
ALD設備可以配置為用于氧化物,、氮化物和金屬沉積。三維結構具有出色的均勻性和保行性,。利用ALD,、 PECVD和ICPECVD， SENTECH提供等離子體沉積技術,，用于從納米尺度沉積到數(shù)微米的薄膜沉積,。特點 *簡易的腔體清洗
*集成手套箱
*節(jié)省前驅體
*前驅體控制
等離子沉淀設備
正片晶片掃描MDPinline
優(yōu)勢在不到一秒的時間內，實現(xiàn)對一個晶片全電子晶片特性的測量,，測量參數(shù)：少子壽命（全形貌）,，電阻率（兩行掃描），迄今為止還沒有看到工藝控制,、良率和工藝改進的效率允許極快地增加新的生產或工藝,，因為來自數(shù)千個晶片的統(tǒng)計信息是在非常短的時間內獲得的。適合于測量出料或進料晶片的材料質量,，以及在晶片級別內識別結晶問題,，例如在光伏行業(yè).適用于擴散工藝的完整性控制、鈍化效率和均勻性控制,。
快速自動掃描系統(tǒng)MDPinline ingot
優(yōu)勢測量速度,，用于先進的光伏工廠的在線多晶硅表征。用1毫米分辨率測量少子在兩塊上的壽命,。同時測量了導電類型變化的空間分辨測量和電阻率線掃描.客戶定義的切割標準可以傳送到工廠數(shù)據庫,，該數(shù)據庫允許為下一代光伏工廠進行全自動材料監(jiān)測。從而實現(xiàn)了材料質量控制,，監(jiān)測爐的性能,，以及失效分析.特殊的"表面以下”測量技術大大減少了由表面復合造成的數(shù)據失真,。
激光掃描系統(tǒng)MDPpro
優(yōu)勢
機或晶圓的整體工具系列•少子壽命、光電導率,、電阻率,、p/n導電類型變化和幾何樣品平整度的同時自動掃描.對于156x156x400mm標準磚，測量速度小于4分鐘,，分辨率為1mm,，所有5幅測量圖形同時繪制。堅固耐用的設計和易于設置的性能.對于安裝,，僅需要電源,。帶有數(shù)據庫的工作站包含。
暫無數(shù)據,！
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