參考價(jià)格
面議型號(hào)
鎢燈絲掃描電鏡 SEM2000品牌
金埃譜產(chǎn)地
北京樣本
暫無(wú)探測(cè)器：
-加速電壓：
-電子槍：
-電子光學(xué)放大：
-光學(xué)放大：
-分辨率：
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SEM2000是一款基礎(chǔ)款的多功能分析型鎢燈絲掃描電鏡,。20?kV分辨率可以做到3.9?nm,，支持升級(jí)30?kV電壓，可觀察亞微級(jí)尺度樣品的微觀結(jié)構(gòu)信息,。擁有比臺(tái)式電鏡更大的移動(dòng)范圍,，適用于快速篩選待測(cè)樣品，更多的擴(kuò)展接口,，可搭載BSED,、EDS等附件,，使應(yīng)用領(lǐng)域更廣。
產(chǎn)品特點(diǎn)
簡(jiǎn)潔的操作界面
*軟件界面僅供參考
純中文的操作界面
功能設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單易操作,。符合國(guó)人使用習(xí)慣,，即使是新手用戶，簡(jiǎn)單了解后也能快速上手,。
完善的自動(dòng)化功能
自動(dòng)亮度對(duì)比度,、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散,，均可一鍵調(diào)節(jié),，提高工作效率。
豐富的測(cè)量工具
長(zhǎng)度,、面積,、圓度、角度等測(cè)量功能強(qiáng)大的照片管理和預(yù)覽,、編輯功能,。
特色功能
光學(xué)導(dǎo)航
想看哪里點(diǎn)哪里，導(dǎo)航更輕松
標(biāo)配光學(xué)導(dǎo)航攝像頭,，可拍攝高清樣品臺(tái)照片,，快速定位樣品。
防撞設(shè)計(jì)
對(duì)新手更友好的防碰撞設(shè)計(jì),，**限度保護(hù)敏感單元,。
一鍵成像
*軟件一鍵成像，新手也能輕松駕馭,。
分析距離
**分析距離和成像距離二合一,，輕松體驗(yàn)優(yōu)質(zhì)性能。
多種信息同時(shí)成像
SEM2000軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像,?？赏瑫r(shí)觀察到樣品的形貌信息和成分信息。
分辨率指標(biāo)
SE：3.9 nm @20 kV
BSE：4.5 nm @ 20 kV
豐富的擴(kuò)展性
高靈敏度背散射探測(cè)器
· 多通道成像
探測(cè)器設(shè)計(jì)精巧,，靈敏度高,，采用4分割設(shè)計(jì)，無(wú)需傾斜樣品,，可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像,。
四個(gè)單通道的陰影像
成分像
· 二次電子成像和背散射電子成像對(duì)比
背散射電子成像模式下，荷電效應(yīng)明顯減弱,，并且可以獲得樣品表面更多的成分信息,。
鐵礦石-（SE）
鐵礦石-（BSE）
能譜
金屬夾雜物能譜面掃分析結(jié)果。
電子背散射衍射
鎢燈絲電鏡束流大,，完全滿足高分辨EBSD的測(cè)試需求,，能夠?qū)饘?、陶瓷、礦物等多晶材料進(jìn)行晶體取向標(biāo)定以及晶粒度大小等分析,。 該圖為Ni金屬標(biāo)樣的EBSD反極圖,，能夠識(shí)別晶粒大小和取向，判斷晶界和孿晶,，對(duì)材料組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確判斷,。
應(yīng)用案例
新米胚乳淀粉顆粒顯微結(jié)構(gòu)
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×5000
鹽
加速電壓：1 kV / 放大倍率：×2000
纖維截面
加速電壓：7 kV / 放大倍率：×1000
高分子透鏡陣列
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×200
載催化劑鎳網(wǎng)
加速電壓：20 kV / 放大倍率：×200
仲鎢酸銨
加速電壓：5 kV / 放大倍率：×1000
MnS夾雜
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×500
金屬斷口
加速電壓：20 kV / 放大倍率：×200
負(fù)極碳包硅
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×3000
干法拉伸薄膜
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×5000
磷酸鐵鋰
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×5000
鈷酸鋰
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×5000
PCB板
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×100
PCB板（車燈）
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×100
銅箔生箔
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×10000
芯片
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×500
紅翅鶴頂粉蝶
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×5000
密蒙花中藥顆粒
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×2000
槲寄生中藥原粉
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×2000
片球菌屬
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×30000
產(chǎn)品參數(shù)
| 電子光學(xué)系統(tǒng) | 電子槍類型 | 預(yù)對(duì)中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍 |
| 分辨率 | 3.9 nm @ 20 kV（SE） | |
| 4.5 nm @ 20 kV（BSE） | ||
| 放大倍率 | 1 x～300,000 x | |
| 加速電壓 | 0.5 kV～20 kV | |
| 成像系統(tǒng) | 探測(cè)器 | 二次電子探測(cè)器（ETD） |
| *背散射電子探測(cè)器、*能譜儀EDS等 | ||
| 圖像保存格式 | TIFF,、JPG,、BMP、PNG | |
| 真空系統(tǒng) | 高真空 | 優(yōu)于5×10-4 Pa |
| 控制方式 | 全自動(dòng)控制 | |
| 泵 | 機(jī)械泵×1,，分子泵×1 | |
| 樣品室 | 攝像頭 | 光學(xué)導(dǎo)航 |
| 樣品臺(tái)配置 | 兩軸自動(dòng) | |
| 行程 | X: 100 mm | |
| Y: 100 mm | ||
| 軟件 | 語(yǔ)言 | 中文 |
| 操作系統(tǒng) | Windows | |
| 導(dǎo)航 | 光學(xué)導(dǎo)航,、手勢(shì)快捷導(dǎo)航 | |
| 自動(dòng)功能 | 自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦,、自動(dòng)像散 | |
| 特色功能 | 智能輔助消像散,、大圖拼接（選配軟件） | |
| 安裝要求 | 房間 | 長(zhǎng) ≥ 3000 mm，寬 ≥ 4000 mm,，高 ≥ 2300 mm |
| 溫度 | 20 ℃～25 ℃ | |
| 濕度 | ≤ 50 % | |
| 電氣參數(shù) | 電源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kV |
暫無(wú)數(shù)據(jù),！
摘要：硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料，因?yàn)榫哂辛己玫目拐承?、增流性和?rùn)滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用，作為常用的藥用輔料潤(rùn)滑劑,，比表面積對(duì)硬脂酸鎂有很大的影響,，硬脂酸鎂的比表面積越大，其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn),、高硬度,、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn),，被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè),、汽車工業(yè)、紡織,、化工,、航空航天等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),，是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
助力“土壤三普” | 氣體吸附技術(shù)在土壤膠體表征中的應(yīng)用 有關(guān)吸附等溫線中的滯后環(huán) 有關(guān)分子篩結(jié)構(gòu) 淺析BET BJH孔徑分布計(jì)算模型 有關(guān)BET測(cè)試中的常見(jiàn)問(wèn)題（三） 有關(guān)BET測(cè)試中的常見(jiàn)問(wèn)題（二） 有關(guān)BET測(cè)試中的常見(jiàn)問(wèn)題（一） 動(dòng),、靜態(tài)吸附法比較 淺析吸附方式中的t-plot 
4月9日,，“國(guó)儀電鏡論壇暨內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)國(guó)產(chǎn)電鏡技術(shù)講座”在內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)實(shí)驗(yàn)管理中心（測(cè)試中心）成功舉辦,，吸引了來(lái)自周邊院校的多位電鏡領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者參與。本次論壇以“國(guó)產(chǎn)電鏡的發(fā)展與機(jī)遇”為主題,，聚焦
4月1日,，由湖南大學(xué)分析測(cè)試中心與國(guó)儀量子聯(lián)合主辦，深圳速普儀器有限公司,、長(zhǎng)沙凱普樂(lè)科技有限責(zé)任公司協(xié)辦的“國(guó)儀電鏡論壇暨湖南大學(xué)電子顯微技術(shù)交流會(huì)”在湖南大學(xué)分析測(cè)試中心成功舉行,。本次會(huì)議吸引了湖南
引言 為更好地激勵(lì)在科研領(lǐng)域辛勤探索,、努力拼搏的科研工作者,，同時(shí)助力光探測(cè)磁共振事業(yè)發(fā)展，國(guó)儀量子決定對(duì)使用本公司ODMR系列產(chǎn)品,，發(fā)表高水平學(xué)術(shù)文章的科研工作者給予現(xiàn)金獎(jiǎng)勵(lì),。2025年OD
國(guó)儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,，金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié),。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性，對(duì)芯片的性能
國(guó)儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一,、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,，芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號(hào)傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時(shí),，Al 互連導(dǎo)線
國(guó)儀量子電鏡在芯片鈍化層開(kāi)裂失效分析的應(yīng)用報(bào)告一,、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色,。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”,，覆蓋在芯片表面，隔絕外界環(huán)境中的濕氣,、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利
鎢燈絲掃描電鏡 SEM2000的工作原理介紹,？鎢燈絲掃描電鏡 SEM2000的使用方法？鎢燈絲掃描電鏡 SEM2000多少錢一臺(tái),？鎢燈絲掃描電鏡 SEM2000使用的注意事項(xiàng)鎢燈絲掃描電鏡 SEM2000的說(shuō)明書有嗎,？鎢燈絲掃描電鏡 SEM2000的操作規(guī)程有嗎？鎢燈絲掃描電鏡 SEM2000的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎,？鎢燈絲掃描電鏡 SEM2000有現(xiàn)貨嗎,？鎢燈絲掃描電鏡 SEM2000包安裝嗎？
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