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場發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro品牌
國儀量子產(chǎn)地
北京樣本
暫無探測器:
旁側(cè)二次電子探測器(ETD) 低真空二次電子探測器(LVD) 插入式背散射電子探測器(BSED)加速電壓:
200 V ~ 30 kV電子槍:
肖特基熱場發(fā)射電子槍電子光學(xué)放大:
1 ~ 1,000,000 x光學(xué)放大:
-分辨率:
0.9 nm @ 30 kV,,SE看了場發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro的用戶又看了
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SEM4000Pro是一款分析型熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡,,配備了高亮度,、長壽命的肖特基場發(fā)射電子槍。三級磁透鏡設(shè)計,,束流**可達(dá)200 nA,,在EDS、EBSD,、WDS等應(yīng)用上具有明顯優(yōu)勢,。標(biāo)配低真空模式,以及高性能的低真空二次電子探測器和插入式背散射電子探測器,,可觀察導(dǎo)電性弱或不導(dǎo)電樣品,。標(biāo)配的光學(xué)導(dǎo)航模式,以及直觀的操作界面,,讓您的分析工作倍感輕松,。
01配備高亮度、長壽命的肖特基熱場發(fā)射電子槍
02分辨率高,,30 kV 下優(yōu)于 0.9 nm 的極限分辨率
03三級磁透鏡設(shè)計,,束流可調(diào)范圍大,**支持 200 nA 的分析束流
04無漏磁物鏡設(shè)計,,可直接觀察磁性樣品
05標(biāo)配低真空模式,,以及高性能的低真空二次電子探測器和插入式背散射電子探測器
06標(biāo)配的光學(xué)導(dǎo)航模式,中文操作軟件,,讓分析工作更輕松
應(yīng)用案例
產(chǎn)品參數(shù)
關(guān)鍵參數(shù) 高真空分辨率 0.9 nm @ 30 kV,,SE 低真空分辨率 2.5 nm @ 30 kV,BSE,,30 Pa 1.5 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa 加速電壓 200 V ~ 30 kV 放大倍率 1 ~ 1,000,000 x 電子槍類型 肖特基熱場發(fā)射電子槍 樣品室 真空系統(tǒng) 全自動控制 低真空模式 **180 Pa 攝像頭 雙攝像頭 (光學(xué)導(dǎo)航+樣品倉內(nèi)監(jiān)控) 行程 X=110 mm,Y=110 mm,,Z=65 mm T: -10°~+70°,,R: 360° 探測器和擴(kuò)展 標(biāo)配 旁側(cè)二次電子探測器(ETD) 低真空二次電子探測器(LVD) 插入式背散射電子探測器(BSED) 選配 能譜儀(EDS) 背散射衍射(EBSD) 插入式掃描透射探測器(STEM) 樣品交換倉 軌跡球&旋鈕控制板 軟件 語言 中文 操作系統(tǒng) Windows 導(dǎo)航 光學(xué)導(dǎo)航、手勢快捷導(dǎo)航 自動功能 自動亮度對比度,、自動聚焦,、自動像散
暫無數(shù)據(jù)!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,,因為具有良好的抗粘性,、增流性和潤滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,,作為常用的藥用輔料潤滑劑,比表面積對硬脂酸鎂有很大的影響,,硬脂酸鎂的比表面積越大,,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點、高硬度,、高耐磨性,、耐氧化等一系列特點,被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè),、汽車工業(yè),、紡織、化工,、航空航天等國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域,。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
【促進(jìn)民營經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展】◎科技日報記者 吳長鋒 洪敬譜4月15日,在位于安徽合肥高新區(qū)的國儀量子技術(shù)(合肥)股份有限公司(以下簡稱“國儀量子”),,研發(fā)團(tuán)隊正在加緊調(diào)試一臺即將交
4月11日-14日,,【國儀順磁學(xué)院】2025年首期波譜校園行活動——2025年華中地區(qū)高級電子順磁共振波譜研修班在武漢大學(xué)成功舉行,。來自華中地區(qū)高校、科研院所的80余位老師同學(xué),,與蘇吉虎教授一起,,圍繞
4月9日,,“國儀電鏡論壇暨內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)國產(chǎn)電鏡技術(shù)講座”在內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)實驗管理中心(測試中心)成功舉辦,,吸引了來自周邊院校的多位電鏡領(lǐng)域?qū)<覍W(xué)者參與。本次論壇以“國產(chǎn)電鏡的發(fā)展與機(jī)遇”為主題,,聚焦
國儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測的應(yīng)用報告一,、背景介紹 在芯片制造工藝中,金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié),。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,,對芯片的性能
國儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,,芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號傳輸與芯片功能實現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié),。在芯片工作時,Al 互連導(dǎo)線
國儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應(yīng)用報告一,、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,,芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色,。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”,覆蓋在芯片表面,,隔絕外界環(huán)境中的濕氣,、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利