編號：FTJS106991
篇名：氧化鎵粉體的電解法合成及性能研究
作者：廖文琦 徐華蕊 陳彩明 趙昀云 龍神峰 韋婷婷 朱歸勝
關鍵詞： 電流密度 GaOOH納米顆粒 β-Ga2O3 冷燒結工藝 β-Ga2O3靶材
機構： 桂林電子科技大學材料科學與工程學院
摘要： 隨著顯示器件對導電薄膜的要求越來越高,高致密度,、高電導率的IGZO靶材得以迅速發(fā)展,。本文采用一種合Ga2O3的新方法電解法,以純Ga金屬片為陽極,以石墨棒為陰極,以NH4Cl水溶液為電解液,成功合成了平均粒徑約為580nm的片層繭狀GaOOH納米顆粒。該納米顆粒分別在500和800℃下煅燒3h,獲得α-Ga2O3和β-Ga2O3納米粉體,并以該β-Ga2O3粉體為原料采用冷燒結工藝同高溫燒結相結合制備β-Ga2O3靶材,并對β-Ga2O3靶材的燒結性能和微觀結構進行了研究,。結果表明,電流密度對GaOOH納米顆粒的形貌和粒徑具有顯著影響,當電流密度為1A/cm2時獲得的GaOOH片層繭狀納米顆粒,其顆粒尺寸小且尺寸均勻,。經(jīng)冷燒結工藝-高溫燒結獲得更高密度的β-Ga2O3靶材,其相對密度達到98.91%,為后續(xù)制備高致密度,、高電導率的IGZO靶材提供了參考。
