編號(hào)：CYYJ043582
篇名：Al4SiC4粉體的中低溫氧化動(dòng)力學(xué)
作者：鄭岐 孫僑陽(yáng) 袁磊
關(guān)鍵詞： Al4SiC4粉體 含碳耐火材料 抗氧化性 動(dòng)力學(xué)
機(jī)構(gòu)： 中民馳遠(yuǎn)實(shí)業(yè)有限公司 東北大學(xué)冶金學(xué)院
摘要： 以鋁粉、硅粉、和碳粉為原料制備出Al4SiC4粉體,采用連續(xù)稱重法研究了Al4SiC4粉體在600~1200℃下的氧化動(dòng)力學(xué).研究結(jié)果表明,Al4SiC4粉體的氧化過程可分為兩個(gè)階段,兩個(gè)階段的氧化速率均隨溫度的升高而增大,但第二階段的反應(yīng)活化能遠(yuǎn)大于第一階段的反應(yīng)活化能.通過動(dòng)力學(xué)分析可知,第一階段的動(dòng)力學(xué)方程符合表面化學(xué)反應(yīng)控制模型,而第二階段的動(dòng)力學(xué)方程則符合擴(kuò)散控制模型,兩個(gè)階段的氧化速率常數(shù)分別為:k1=8.17exp(-47.47/RT)和k2=105.34exp(17500/RT).Al4SiC4粉體的整個(gè)氧化過程符合兩階段模型,這是由于在其表面生成了一層由Al2O3和SiO2組成的氧化膜.同時(shí),該氧化膜使得反應(yīng)物氧氣和生成物二氧化碳的擴(kuò)散變得緩慢,反應(yīng)速率減小.因此,擴(kuò)散被認(rèn)為是整個(gè)氧化過程的限制性環(huán)節(jié).
