編號(hào)：NMJS01861
篇名：CdSe四腳狀納米晶粒的光熒光研究
作者：趙莉娟,； 陸愛(ài)江； 龐起,； 葛惟昆,； 王建農(nóng),；
關(guān)鍵詞：四腳狀納米晶粒； 變功率光熒光(PL),； 變溫光熒光(PL),； 表面缺陷； 局域化,； 高產(chǎn)率,；
機(jī)構(gòu)： 東華大學(xué)應(yīng)用物理系； 香港科技大學(xué)物理系,； 玉林師范學(xué)院化學(xué)與材料學(xué)院,；
摘要： 采用高溫微乳液的化學(xué)方法,在溶液中合成了高產(chǎn)率的CdSe四腳狀納米晶粒。高分辨透射電鏡(HRTEM)分析結(jié)果表明,CdSe四腳狀納米晶粒是由1個(gè)立方的核心和4個(gè)六方的臂所組成,。研究了該四腳晶粒的變激發(fā)功率光熒光(PL)譜和變溫的PL譜,分析發(fā)現(xiàn)低溫時(shí)四腳晶粒的光熒光主要來(lái)自于被表面缺陷所局域的激子的輻射復(fù)合,而隨著溫度升高,束縛激子被熱激發(fā),室溫時(shí)光熒光主要來(lái)自于自由激子的貢獻(xiàn),。CdSe納米量子點(diǎn)的退局域化溫度比四腳納米晶粒的高,而12K時(shí)CdSe納米量子點(diǎn)的局域化能量比四腳納米晶粒的也大得多,并對(duì)這一現(xiàn)象作了解釋。
