編號：CPJS00989
篇名：Ce0.8Sm0.2O1.9-La9.33Si6O26復(fù)合材料的制備與氧離子導(dǎo)電性
作者：張哲,； 張鴻,； 劉超峰,； 劉玉龍,； 李志成,；
關(guān)鍵詞：Ce0.8Sm0.2O1.9,； La9.33Si6O26,； 復(fù)合材料,； 共沉淀合成,； 氧離子導(dǎo)電性,；
機(jī)構(gòu)： 中南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院； 中南大學(xué)粉末冶金國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,；
摘要： 為了提高Ce0.8Sm0.2O1.9(CSO)基氧離子導(dǎo)電材料的離子導(dǎo)電性,用2步化學(xué)共沉淀法制備Ce0.8Sm0.2O1.9-La9.33Si6O26(CSO-LSO)氧離子導(dǎo)電復(fù)合材料,。通過X射線衍射分析材料的物相組成,利用掃描電子顯微鏡觀察材料的微觀形貌,利用交流阻抗分析測試材料的離子導(dǎo)電特性。結(jié)果表明,經(jīng)300℃煅燒可得到純相的CSO粉體,平均晶粒尺寸為9.8 nm,。在整個(gè)測試溫度范圍內(nèi),CSO-LSO復(fù)合材料的氧離子電導(dǎo)率比單相CSO提高了10倍以上;700℃時(shí),CSO-LSO復(fù)合材料電導(dǎo)率為0.12 S.cm-1,比CSO的總電導(dǎo)率(0.008 6 S.cm-1)提高約14倍,。通過分析得出界面效應(yīng)是提高復(fù)合材料電導(dǎo)率的主要因素。
