編號：NMJS01739
篇名：Co-C納米復合薄膜的微結構,、磁性能和磁輸運特性
作者：唐瑞鶴,； 楊志剛； 張弛,； 楊白,； 劉曉芳； 于榮海,；
關鍵詞： Co-C納米復合薄膜,； 退火； 微結構,； 磁輸運特性,； 磁性能；
機構： 清華大學材料科學與工程系先進材料教育部重點實驗室； 北京航空航天大學材料科學與工程學院,；
摘要： 采用磁控濺射法在硅基片上制備了Co原子分數(shù)為13.0%的Co-C納米復合薄膜.在真空條件下,對薄膜進行退火處理,退火溫度從473K逐步提高至773K,保溫時間30min.形貌觀察表明,未經(jīng)退火處理的薄膜中,Co顆粒均勻分布在非晶C基體中,Co顆粒尺寸為1.5-3.0nm;673K退火后,Co顆粒尺寸增大.磁性能測試表明,未經(jīng)退火處理的薄膜磁性較弱,隨著退火溫度升高,薄膜的磁化強度和矯頑力均明顯增大;當退火溫度增加至673—773K時,薄膜呈現(xiàn)出低溫鐵磁性,、室溫超順磁性的典型顆粒體系磁性特征.磁輸運特性研究表明,未經(jīng)退火處理的薄膜在溫度為4.2K,磁場為3980kA/m時表現(xiàn)出1.33%的負磁電阻,隨著退火溫度升高,樣品磁電阻值下降;電阻與溫度關系在4.2—60K范圍內符合lnR-T-1/4線性關系,磁輸運遵循變程跳躍（variable range hopping）傳導機制. 更多還原
