編號(hào)：NMJS01617
篇名：納米Ge-SiO2薄膜對(duì)1342nm激光的被動(dòng)調(diào)Q
作者：王燕飛,； 王加賢； 張培,； 楊先才,；
關(guān)鍵詞：激光技術(shù),； Nd∶YVO4激光器； 納米鍺鑲嵌二氧化硅薄膜,； 被動(dòng)調(diào)Q,； 可飽和吸收體；
機(jī)構(gòu)： 華僑大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院,；
摘要： 采用射頻磁控濺射技術(shù)和熱退火處理方法制備納米鍺鑲嵌二氧化硅(Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收譜和X射線衍射譜對(duì)薄膜材料進(jìn)行表征,得到薄膜的光學(xué)帶隙為1.12 eV,納米Ge晶粒的平均尺寸約為16.4 nm.將納米Ge-SiO2薄膜作為可飽和吸收體插入激光二極管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器內(nèi),實(shí)現(xiàn)1 342 nm激光的被動(dòng)調(diào)Q運(yùn)轉(zhuǎn),獲得脈沖寬度約為40 ns,重復(fù)頻率為33.3 kHz的調(diào)Q脈沖序列輸出.根據(jù)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并結(jié)合薄膜結(jié)構(gòu),認(rèn)為納米Ge-SiO2薄膜的界面態(tài)和缺陷態(tài)是產(chǎn)生調(diào)Q的主要原因. 更多還原
