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納米硅粒子的表面氧化及其光致發(fā)光特性

編號:NMJS01444

篇名:納米硅粒子的表面氧化及其光致發(fā)光特性

作者:于威,; 徐煥欽,; 徐艷梅; 王新占,; 路萬兵,; 傅廣生,;

關鍵詞:納米硅粒子; 射頻等離子體增強化學氣相沉積,; 光致發(fā)光,;

機構: 河北大學物理科學與技術學院;

摘要: 采用射頻等離子體增強化學氣相沉積技術制備了納米晶硅粒子,并對其溶液發(fā)光的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)特性進行了研究,。穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光結果顯示,新制備的納米硅粉體表現(xiàn)為峰值位于440 nm附近的藍色發(fā)光,經(jīng)長時間氧化后,該波段發(fā)光強度顯著增強,并且出現(xiàn)另一峰值位于750 nm附近的紅色發(fā)光帶,。不同波長激發(fā)和時間分辨光致發(fā)光譜的分析表明,納米硅粒子藍色發(fā)光歸因于粒子內部載流子的帶-帶躍遷過程,衰減時間在納秒量級,氧化造成該波段發(fā)光衰減時間常數(shù)增加。氧化后出現(xiàn)的紅色發(fā)光來源于載流子經(jīng)由表面缺陷態(tài)的輻射復合,該發(fā)光衰減壽命微秒量級,。

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