編號：NMJS01361
篇名：SiO_2納米柱陣列太陽電池減反射層設(shè)計
作者：汪禮勝; 沈楊超; 陳鳳翔; 王嘉賦;
關(guān)鍵詞：SiO2納米柱陣列; 太陽電池; 嚴(yán)格耦合波理論; 減反射; 加權(quán)平均反射率;
機構(gòu)： 武漢理工大學(xué)理學(xué)院;
摘要： 采用嚴(yán)格耦合波理論和增強透射矩陣方法,對SiO2納米柱陣列太陽電池減反射層進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計,。設(shè)計的納米柱陣列結(jié)構(gòu)在300~1 200 nm波長范圍內(nèi),可實現(xiàn)在太陽光0°~60°的入射范圍內(nèi)平均加權(quán)反射率接近1%,。通過與以太陽光30°入射優(yōu)化設(shè)計的新型納米SiO2單層和SiO2/TiO2雙層減反射膜相比,發(fā)現(xiàn)優(yōu)化設(shè)計的SiO2納米柱陣列減反射層結(jié)構(gòu)在寬波段、寬入射角度范圍內(nèi)能更有效地減少光反射,從而提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率、降低生產(chǎn)成本,。
