編號(hào)：NMJS01345
篇名：電泳法制備碳納米管冷陰極及其場(chǎng)發(fā)射特性研究
作者：劉懿;
關(guān)鍵詞：碳納米管; 場(chǎng)發(fā)射; 電泳; 冷陰極;
機(jī)構(gòu)： 電子科技大學(xué);
摘要： 平板顯示器是電視,電腦,手機(jī)以及一些移動(dòng)終端的一個(gè)非常重要的部件,。而當(dāng)前平板顯示器主要為L(zhǎng)CD和LED,但他們的性能跟CRT還有差距,而隨著真空微電子學(xué)的發(fā)展,FED(場(chǎng)發(fā)射平面顯示器)的已經(jīng)成功研制,并在性能上有明顯的優(yōu)勢(shì),但工藝復(fù)雜,生產(chǎn)成本過(guò)高,還未大規(guī)模應(yīng)用。1991碳納米管被發(fā)現(xiàn),因其具有良好的導(dǎo)電性,較大的長(zhǎng)徑比,高的機(jī)械強(qiáng)度,穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì),從而表現(xiàn)出良好的場(chǎng)發(fā)射性能,而熱CVD(化學(xué)氣相沉積)法實(shí)現(xiàn)了碳納米管的大規(guī)模制備,使得碳納米管成為FED陰極一個(gè)非常好的選擇,。因而本文一個(gè)主要的研究?jī)?nèi)容就是: 通過(guò)電泳的方法來(lái)制備FED用碳納米管薄膜冷陰極,并通過(guò)對(duì)工藝條件的對(duì)比實(shí)驗(yàn)來(lái)優(yōu)化電泳實(shí)驗(yàn)中電泳液配比,沉積基底,電泳電壓,電泳時(shí)間等重要參數(shù),來(lái)實(shí)現(xiàn)電泳沉積的薄膜一個(gè)相對(duì)較好的場(chǎng)發(fā)射性能,。在優(yōu)化結(jié)果條件下沉積多壁碳納米管薄膜的閾值場(chǎng)為3.4v/um,最大電流密度為2mA/cm2,是能夠滿足FED對(duì)電流密度的要求的。 為了進(jìn)一步提高沉積碳納米管薄膜的場(chǎng)發(fā)射性能,我們對(duì)沉積的碳納米管薄膜進(jìn)行了退火處理,電流處理,等離子體處理等后處理實(shí)驗(yàn),并對(duì)處理前后的薄膜做了場(chǎng)發(fā)射對(duì)比實(shí)驗(yàn),結(jié)果表明三種方法...
