編號(hào)：NMJS01330
篇名：光化學(xué)沉積Ag納米顆粒改性二氧化鈦納米管陣列的光催化及光電響應(yīng)能力研究
作者：廖斌; 梁宏; 張旭; 劉安東; 吳先映;
關(guān)鍵詞：光化學(xué)沉積; 光電響應(yīng); 二氧化鈦納米管; 光催降解;
機(jī)構(gòu)： 北京師范大學(xué)射線束技術(shù)與材料改性教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 北京師范大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院北京市輻射中心;
摘要： 利用電化學(xué)陽(yáng)極氧化法制備出了高度致密,有序的二氧化鈦納米管陣列(TiNT).通過(guò)光化學(xué)沉積方法在二氧化鈦納米管表面沉積了Ag金屬顆粒,并用SEM進(jìn)行了表征,Ag顆粒的半徑在100~500 nm之間.通過(guò)對(duì)光化學(xué)沉積后的TiNT樣品進(jìn)行光電響應(yīng)和光催化降解測(cè)試發(fā)現(xiàn):紫外光照射下改性樣品的光電響應(yīng)能力和光催化降解能力都有不同程度的提高,但在可見光下仍不具備光電響應(yīng)能力和催化降解能力.
