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TRILOS超高壓納米均質(zhì)機(jī)在觸摸屏用銀漿和碳漿的應(yīng)用
人和科儀 2025/06/04 | 閱讀:181
產(chǎn)品配置單: 方案詳情:
隨著現(xiàn)代觸控技術(shù)的不斷進(jìn)步,,未來觸控面板將往大尺寸化,、低價化,,可彎曲折疊化方向發(fā)展,。傳統(tǒng)ITO薄膜由于存在導(dǎo)電性差,、成本昂貴,、不可彎曲等本質(zhì)問題而發(fā)展受限,。金屬網(wǎng)格工藝技術(shù)為大尺寸低電阻,、窄邊框提供了有力技術(shù)支持,該技術(shù)可以將柔性觸控屏尺寸從智能手機(jī)的常用面板尺寸覆蓋到86英寸以上,。采用金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜來替代ITO透明導(dǎo)電膜已成為未來趨勢,。目前常用的金屬網(wǎng)格工藝是,通過顯影,、蝕刻等工藝在PET膜上得到預(yù)留凹槽(寬度≤3μm),;再將導(dǎo)電銀漿刮涂入刻蝕的預(yù)留凹槽中,進(jìn)行低溫固化,,形成金屬網(wǎng)格觸控電極及周邊引線,,得到金屬網(wǎng)格電容式觸摸屏。該工藝方法由于工藝簡單,,成本低,、透光性好,產(chǎn)品柔性高等優(yōu)勢,逐步成為觸摸屏柔性化,、大尺寸,、輕薄化發(fā)展的重要趨勢。
1. TRILOS超高壓納米均質(zhì)機(jī)介紹: TRILOS超高壓納米均質(zhì)機(jī)采用高壓噴射原理,,能夠在短時間內(nèi)產(chǎn)生巨大的剪切力,碰撞力,,氣穴力,,從而將大量能量集中作用于物料,使物料的成分以完全的均質(zhì)的狀態(tài)存在,,能夠大幅提升效率,。 TRILOS超高壓納米均質(zhì)機(jī)不堵不漏,采用10寸工業(yè)觸控屏,,可實(shí)時監(jiān)控壓力曲線圖,,最高壓力可達(dá)4000bar。
圖1 均質(zhì)機(jī)原理圖 圖2 TRILOS超高壓納米均質(zhì)機(jī) 2. 實(shí)驗(yàn)描述: 先用混料脫泡機(jī)預(yù)分散銀漿或碳漿,,然后采用TRILOS超高壓納米均質(zhì)機(jī),,均質(zhì)分散樣品,并研究不同均質(zhì)次數(shù)對漿料分散穩(wěn)定性的影響,。分別采用LISICO分散均質(zhì)分析測試儀或LUMiSizer分散穩(wěn)定性分析儀,,測試樣品的穩(wěn)定性,。 3.實(shí)驗(yàn)過程及測試結(jié)果: 3.1.銀漿: 采用TRILOS超高壓納米均質(zhì)機(jī),將銀漿樣品在2500bar壓力下分別處理1至5遍,。 圖3 用TRILOS超高壓納米均質(zhì)機(jī)處理銀漿 采用LISICO分散均質(zhì)分析測試儀,,測試均質(zhì)前后銀漿樣品的分散穩(wěn)定性,結(jié)果如圖5所示,。
圖4 LISICO 分散均質(zhì)分析測試儀
由圖5可知,,均質(zhì)1次后,銀漿樣品的弛豫時間有所增加,,分散穩(wěn)定性變差,;繼續(xù)均質(zhì)幾次,樣品的弛豫時間減小至均質(zhì)前的水平,,表明其分散穩(wěn)定性變化不大,。粒徑測試結(jié)果表明,均質(zhì)前的TDS-0樣品的D50粒徑為5微米,;均質(zhì)4次后,,TDS-4樣品的粒徑降至2.5微米。此外,,電性能也較均質(zhì)前提高10%左右,。
圖5均質(zhì)前后銀漿樣品的弛豫時間 此外我們也采用LUMiSizer分散穩(wěn)定性分析儀,測試銀漿樣品的穩(wěn)定性,,結(jié)果如圖7所示,。
圖6 LUMiSizer穩(wěn)定性分析儀(測試條件:4000 g,16h,,25℃)
圖7 均質(zhì)前后銀漿樣品的不穩(wěn)定性指數(shù)對比
采用STEP技術(shù),,可以定量分析穩(wěn)定性,,得出每個樣品的“不穩(wěn)定性指數(shù)”,。不穩(wěn)定性指數(shù)越小,表明體系越穩(wěn)定,。由銀漿樣品的不穩(wěn)定指數(shù)柱狀圖可知,,就實(shí)驗(yàn)全過程來看,樣品的不穩(wěn)定性順序依次為:TDS-4<TDS-0=TDS-1<TDS-5<TDS-3<TDS-2,其中TDS-4樣品最穩(wěn)定,。
3.2.碳漿: 采用TRILOS超高壓納米均質(zhì)機(jī),,將碳漿樣品在2500bar壓力下分別處理1至5遍。 圖8均質(zhì)前后碳漿樣品的弛豫時間
由圖8可知,,均質(zhì)1次后,,碳漿樣品的弛豫時間大幅減小,分散穩(wěn)定性變好,;繼續(xù)均質(zhì)幾次,,碳漿樣品的弛豫時間與均質(zhì)前相當(dāng),。表明均質(zhì)次數(shù)不能過多,否則對分散穩(wěn)定性有不利的影響,。 4. 結(jié)論:
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