
國儀量子技術(shù)(合肥)股份有限公司

已認(rèn)證
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在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,,隨著摩爾定律的不斷演進(jìn),,芯片制程工藝持續(xù)向更小的特征尺寸發(fā)展。FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)技術(shù)作為一種突破性的晶體管架構(gòu),,已成為實(shí)現(xiàn)芯片高性能,、低功耗的關(guān)鍵技術(shù)之一。FinFET 通過在硅襯底上生長出垂直的鰭片結(jié)構(gòu),,顯著增加了溝道表面積,,有效提升了晶體管的開關(guān)速度和電流驅(qū)動(dòng)能力,降低了漏電功耗,。
鰭片的 CD(Critical Dimension,,臨界尺寸),即鰭片的寬度,,是 FinFET 器件性能的關(guān)鍵參數(shù),。精確控制鰭片 CD 對于優(yōu)化晶體管性能、提高芯片集成度和良率至關(guān)重要,。若鰭片 CD 尺寸偏差過大,,會(huì)導(dǎo)致晶體管的電學(xué)性能不一致,,如閾值電壓漂移、跨導(dǎo)變化等,,進(jìn)而影響芯片的整體性能和可靠性,。在先進(jìn)制程工藝中,如 7nm,、5nm 甚至更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn),,鰭片 CD 已縮小至幾納米到幾十納米的尺度,對測量精度提出了極高的要求,。鰭片 CD 受光刻,、刻蝕等多種復(fù)雜制造工藝參數(shù)的綜合影響。因此,,精準(zhǔn)測量 FinFET 鰭片 CD 臨界尺寸,,對優(yōu)化芯片制造工藝,、推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展具有重要意義,。
國儀量子 SEM3200 電鏡具備高分辨率成像能力,,能夠清晰呈現(xiàn) FinFET 鰭片的微觀結(jié)構(gòu),。可精確觀察到鰭片的形狀,,判斷其是否為規(guī)則的矩形或存在變形,;呈現(xiàn)鰭片的邊緣特征,確定是否有鋸齒狀,、圓角等情況,。通過對微觀結(jié)構(gòu)的細(xì)致成像,為準(zhǔn)確測量鰭片 CD 提供清晰的圖像基礎(chǔ),。例如,,清晰的鰭片邊緣成像有助于確定測量 CD 的準(zhǔn)確位置。
借助 SEM3200 配套的高精度圖像分析軟件,,能夠?qū)?FinFET 鰭片的 CD 尺寸進(jìn)行精確測量,。在圖像上選取合適的測量點(diǎn),通過軟件算法計(jì)算鰭片的寬度,。對不同位置的多個(gè)鰭片進(jìn)行測量統(tǒng)計(jì),,分析 CD 尺寸的一致性。例如,,計(jì)算 CD 尺寸的平均值,、標(biāo)準(zhǔn)差等統(tǒng)計(jì)量,評估鰭片 CD 尺寸的均勻性,。精確的 CD 尺寸測量為工藝優(yōu)化提供量化數(shù)據(jù)支持,,有助于判斷制造工藝是否滿足設(shè)計(jì)要求,。
SEM3200 獲取的鰭片 CD 尺寸數(shù)據(jù),結(jié)合實(shí)際芯片制造工藝參數(shù),,能夠輔助研究 CD 尺寸與工藝參數(shù)之間的關(guān)聯(lián),。通過對不同工藝條件下鰭片 CD 尺寸的對比分析,確定哪些工藝參數(shù)的變化對 CD 尺寸影響顯著,。例如,,發(fā)現(xiàn)光刻曝光劑量的微小調(diào)整會(huì)導(dǎo)致鰭片 CD 尺寸發(fā)生明顯變化,為優(yōu)化芯片制造工藝參數(shù)提供依據(jù),,以實(shí)現(xiàn)對 FinFET 鰭片 CD 尺寸的精準(zhǔn)控制,。
國儀量子 SEM3200 鎢燈絲掃描電鏡是 FinFET 鰭片 CD 臨界尺寸測量的理想設(shè)備,。它具有良好的分辨率,,能清晰捕捉到 FinFET 鰭片微觀結(jié)構(gòu)的細(xì)微特征和尺寸變化。操作界面人性化,,配備自動(dòng)功能,,大大降低了操作難度,即使經(jīng)驗(yàn)不足的研究人員也能快速上手,,高效完成測量任務(wù),。設(shè)備性能穩(wěn)定可靠,長時(shí)間連續(xù)工作仍能確保檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性與重復(fù)性,。憑借這些優(yōu)勢,,SEM3200 為半導(dǎo)體制造企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)提供了有力的技術(shù)支撐,,助力優(yōu)化芯片制造工藝,、提高芯片性能和良率,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與發(fā)展,。
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