由上海大學(xué)夏義本教授課題組承擔(dān)的強(qiáng)磁場下納米金剛石薄膜的制備技術(shù)項(xiàng)目通過市科委驗(yàn)收,。  
　　強(qiáng)磁場下熱絲CVD方法制備金剛石薄膜的研究在國內(nèi)外屬首創(chuàng),。  
　　利用強(qiáng)磁場有望克服常規(guī)方法制備金剛石薄膜苛刻工藝條件的限制，使得制備工藝簡單化,，容易獲得金剛石薄膜的納米晶化,、高度定向化和低溫生長化,，有望實(shí)現(xiàn)低成本、大面積,、高速率和高質(zhì)量金剛石薄膜的制備,。  
　　課題組開發(fā)強(qiáng)磁場下金剛石薄膜的納米晶化、高度定向化,、低溫化生長技術(shù),，實(shí)現(xiàn)金剛石薄膜制備的低成本、大面積,、高速生長,；研制強(qiáng)磁場中金剛石膜熱絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD)裝置樣機(jī)，為大規(guī)模應(yīng)用提供參考,；探索強(qiáng)磁場下金剛石薄膜的生長機(jī)理,。自行設(shè)計并建立了一套在強(qiáng)磁場中制備金剛石膜的HFCVD 小型裝置，解決了強(qiáng)磁場下HFCVD裝置腔體冷卻難,、磁場對電熱絲存在干擾等問題,。該設(shè)備的研制成功和運(yùn)行開創(chuàng)了強(qiáng)磁場下金剛石薄膜制備研究的先河，并為今后金剛石的研究工作奠定了基礎(chǔ),。研究了磁場參數(shù),，沉積參數(shù)(沉積氣壓,、碳源濃度，沉積溫度,，加熱方式等)對金剛石薄膜性能的影響,。獲得了強(qiáng)磁場下各工藝參數(shù)對金剛石薄膜晶粒度、表面粗糙度,、定向化及生長速率的影響規(guī)律,。通過優(yōu)化的工藝參數(shù)實(shí)現(xiàn)了金剛石薄膜的低溫、高速率(大于2.0μm/h)和定向(定向度大于95%)生長,。獲得的金剛石薄膜晶粒尺寸小于50nm、粗糙度小于30nm,。通過對強(qiáng)磁場下金剛石膜生長規(guī)律的系統(tǒng)研究,，提出了強(qiáng)磁場下金剛石薄膜的成核機(jī)理和納米晶化、低溫化生長的機(jī)理,，為獲得結(jié)構(gòu)和質(zhì)量容易控制的金剛石膜提供理論依據(jù),。