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再升級(jí)版本拋光液-讓高效拋光更上一層樓


來源:中國粉體網(wǎng)   山林

[導(dǎo)讀]  博來納潤(rùn)鉭酸鋰襯底CMP拋光液再升級(jí),。

中國粉體網(wǎng)訊  近日,,據(jù)浙江博來納潤(rùn)電子材料有限公司消息,博來納潤(rùn)研發(fā)團(tuán)隊(duì)推出的鉭酸鋰LTPOL-124,、LTPOL-125A/B,、LTPOL-126A/B三款拋光液通過客戶實(shí)測(cè)驗(yàn)證,正式問世,。


 

博來納潤(rùn)官網(wǎng)


在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,,鉭酸鋰(LT)作為一種優(yōu)良的多功能晶體材料,憑借其優(yōu)良的壓電,、電光和熱電性能,,以及機(jī)電耦合系數(shù)大、低損耗,、高溫穩(wěn)定性和高頻性能好等特點(diǎn),,被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、衛(wèi)星通信等民用及軍事領(lǐng)域,�,?梢哉f,從我們?nèi)粘J褂玫氖謾C(jī),,到關(guān)于國防安全的雷達(dá),,鉭酸鋰都在發(fā)揮著巨大作用。


在拋光加工這一環(huán)節(jié),,常見的拋光技術(shù)如機(jī)械拋光,、化學(xué)拋光、磁研磨拋光,、流體拋光,、電化學(xué)拋光、離子束轟擊拋光,、浮法拋光等,,均屬于局部平坦化技術(shù),且平坦化能力從幾微米到幾十微米不等,,但是國際上普遍認(rèn)為,,加工工件特征尺寸在0.35μm以下時(shí),,必須進(jìn)行全局平坦化,化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing,,CMP)技術(shù)被譽(yù)為是當(dāng)今時(shí)代能實(shí)現(xiàn)集成電路(IC)制造中晶圓表面全局平坦化的唯一技術(shù),,化學(xué)機(jī)械拋光的效果直接影響到芯片最終的質(zhì)量和成品率。


然而,,鉭酸鋰屬于硬脆材料,,鉭酸鋰拋光往往要耗費(fèi)大量時(shí)間,難度增加,,如何高效完成CMP工藝,,成為了棘手難題。


日前,,博來納潤(rùn)公司鉭酸鋰LTPOL-124,、LTPOL-125A/B、LTPOL-126A/B三款拋光液通過客戶實(shí)測(cè)驗(yàn)證,,正式問世,。該產(chǎn)品線覆蓋堿性、中性,、酸性各加工工藝的需求,,且均具備優(yōu)異的去除速率、高儲(chǔ)存穩(wěn)定性和拋光后易清洗等優(yōu)點(diǎn),。這個(gè)系列的拋光液產(chǎn)品就像為鉭酸鋰加工量身定制的神奇鑰匙,,有望開啟國產(chǎn)化拋光液的高效拋光新時(shí)代。


堿性拋光液LTPOL-124:引航拋光速率新高度


 

堿性拋光液LTPOL-124與競(jìng)品液的性能比較,,以及拋后粗糙度


當(dāng)1kg拋光液循環(huán)3個(gè)小時(shí),,全程無需加液和調(diào)整pH,LTPOL-124相較競(jìng)品速率提升10-20%,。而且,,無論在何種稀釋比的條件下,LTPOL-124均有著更高的去除速率,,且保持著<0.2 nm的拋后粗糙度,,這代表著極為優(yōu)異的超精密加工水平。


中性拋光液LTPOL-126A/B:比日本進(jìn)口產(chǎn)品具有更高的稀釋比,,更具性價(jià)比


 

中性拋光液LTPOL-126A/B與日本競(jìng)品液的性能比較,,以及拋后粗糙度


同樣使用1kg拋光液循環(huán)拋光3小時(shí),中途不加液,,不調(diào)整pH,,LTPOL-126A/B相較競(jìng)品顯示出更高的速率,且拋后粗糙度<0.2 nm,。這款產(chǎn)品使用博來納潤(rùn)自制硅溶膠,,不僅超過了日本進(jìn)口產(chǎn)品的性價(jià)比,而且產(chǎn)品還不易結(jié)晶和劃傷,,為國內(nèi)企業(yè)提供更優(yōu)質(zhì),、更經(jīng)濟(jì)的選擇。


酸性拋光液LTPOL-125A/B:高去除速率,,有望重塑市場(chǎng)格局


 

酸性拋光液LTPOL-125A/B與傳統(tǒng)堿性配方競(jìng)品的性能比較,,以及拋后粗糙度


對(duì)于追求高去除速率的市場(chǎng)需求,LTPOL-125 A/B 無疑提供了一個(gè)很好的選擇,。1kg拋光液循環(huán)拋光3個(gè)小時(shí),,中途不加液、不調(diào)整pH的情況下,,相較傳統(tǒng)堿性配方競(jìng)品,,LTPOL-125 A/B速率提升1.8-2倍,且循環(huán)3個(gè)小時(shí)后,,速率衰減<15%,,拋后粗糙度<0.25 nm,表現(xiàn)出色,。


參考來源:

[1] 博來納潤(rùn)官網(wǎng)

[2] 燕禾等,,化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

[3] 嚴(yán)嘉勝等,硅晶片化學(xué)機(jī)械拋光液的研究進(jìn)展

[4] 夏琳,,硅溶膠化學(xué)機(jī)械拋光液的研究


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林)

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