中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近幾年半導(dǎo)體行業(yè)火爆發(fā)展,,各種半導(dǎo)體材料層出不窮,,半導(dǎo)體材料因具有力學(xué)、光學(xué),、熱學(xué),、電學(xué)等多方面優(yōu)異性質(zhì)而用于固態(tài)照明、功率器件,、光發(fā)射器,、紫外線探測(cè)器等光電器件,以及高壓,、高溫二極管等電子器件,,被應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。
在器件的制備過(guò)程中,,半導(dǎo)體材料的表面質(zhì)量直接影響著器件的性能,。針對(duì)不同的半導(dǎo)體材料,其需要切磨拋的工藝各不相同,。研磨和拋光是經(jīng)典的超精密加工技術(shù),,被廣泛應(yīng)用于脆性難加工半導(dǎo)體襯底材料的超光滑無(wú)損傷加工,比如硅,、氮化鎵和藍(lán)寶石等材料的加工,。通過(guò)研磨和拋光可以有效去除前道工序造成的加工損傷,,并獲得超光滑無(wú)損傷的工件表面,。
研拋磨粒作為研拋工藝的核心輔助材料之一,,研拋磨粒選擇的恰當(dāng)與否直接影響到研拋效率和研拋質(zhì)量的高低。磨料不僅起著機(jī)械研磨的作用,,部分磨料還能與拋光對(duì)象發(fā)生絡(luò)合反應(yīng),,促進(jìn)拋光。所以磨料本身的物化性質(zhì)就顯得尤為重要,,磨料的硬度和分散穩(wěn)定性是其拋光效果的主要影響因素,,硬度低,則材料去除率低,,硬度過(guò)高,,又會(huì)造成拋光對(duì)象表面劃痕嚴(yán)重,導(dǎo)致表面粗糙度大,,拋光質(zhì)量不理想,。若磨料的分散穩(wěn)定性不佳,即使是磨料之間的軟團(tuán)聚,,也會(huì)造成拋光對(duì)象表面劃痕嚴(yán)重的情況,。因此,選用合適的磨粒對(duì)于研拋來(lái)說(shuō)十分重要,。
研拋工藝要求不同,,采用的磨粒材質(zhì)也不同,常見(jiàn)磨粒有二氧化硅(SiO2),、氧化鈰(CeO2),、碳化硼(B4C)、氧化鋁(Al2O3),、碳化硅(SiC)和金剛石等,。在已知的所有的磨料中,氧化鋁因其形貌,、軟硬,、晶型可控,所以在拋光行業(yè)中應(yīng)用越來(lái)越廣,、越來(lái)越高端,。
氧化鋁在自然界存在多種同質(zhì)異性相,如α-Al2O3,、β-Al2O3,、θ-Al2O3、η-Al2O3,、χ-Al2O3,、κ-Al2O3等。一般選用50~200 nm粒徑分布均勻的α-Al2O3作為拋光磨粒。
Al2O3磨粒在水溶液中由于靜電力等作用容易團(tuán)聚成大顆粒膠團(tuán),,出現(xiàn)絮凝分層等現(xiàn)象,,導(dǎo)致拋光液穩(wěn)定性較差。因此,,使用Al2O3作為拋光液磨粒,,需要在拋光液中加入各種各樣穩(wěn)定劑和分散劑,使得對(duì)拋光機(jī)理的研究更加復(fù)雜,。此外,,由于Al2O3的兩性化學(xué)性質(zhì),Al2O3拋光液分為堿性拋光液和酸性拋光液,,與堿性拋光液相比,,酸性拋光液對(duì)設(shè)備的腐蝕更為嚴(yán)重,所以堿性拋光液比酸性拋光液應(yīng)用更廣泛,。堿度對(duì)堿性拋光液性能起著非常重要的作用,,經(jīng)市場(chǎng)調(diào)研,pH值為12以上可以提高材料的去除率,,但是過(guò)高的堿度同樣會(huì)對(duì)設(shè)備造成嚴(yán)重腐蝕,。因此,如何制備合適的Al2O3拋光液并進(jìn)行應(yīng)用需要繼續(xù)探索,。
研磨拋光技術(shù)在集成電路芯片的制作中具有重要作用,,針對(duì)高端研磨拋光相關(guān)的技術(shù)、材料,、設(shè)備,、市場(chǎng)等方面的問(wèn)題,中國(guó)粉體網(wǎng)將于2025年4月16日在河南鄭州舉辦2025第二屆高端研磨拋光材料技術(shù)大會(huì),。屆時(shí),,無(wú)錫云嶺半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理紀(jì)發(fā)明將作題為《半導(dǎo)體材料拋光用氧化鋁拋光液的制備和應(yīng)用》的報(bào)告,報(bào)告將詳細(xì)介紹氧化鋁拋光液的制備工藝,,并結(jié)合使用案例進(jìn)行闡述,。
專家簡(jiǎn)介:
紀(jì)發(fā)明,無(wú)錫云嶺半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理,,從事研磨拋光行業(yè)近20年,,對(duì)氧化鋁、稀土,、氧化鋯等研磨拋光材料有深入研究,。開(kāi)發(fā)的拋光產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體襯底材料、精密光學(xué)材料,、紅外晶體材料,、陶瓷材料,、激光晶體材料和金屬材料等的精密加工,撰寫(xiě)專利10余篇,。
參考來(lái)源:
[1] 何潮等,,半導(dǎo)體材料CMP過(guò)程中磨料的研究進(jìn)展
[2] 周兆鋒等,超精密表面研拋磨粒的研究進(jìn)展
[3] 張曼,,氧化鋁磨料制備,、拋光漿料穩(wěn)定性及其拋光性能的研究
[4] 孟凡寧等,,化學(xué)機(jī)械拋光液的研究進(jìn)展
(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山林)
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