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國內(nèi)首臺(套),!一12英寸硅片最終拋光設(shè)備被認定!


來源:中國粉體網(wǎng)   山林

[導(dǎo)讀]  晶盛機電12英寸硅片最終拋光設(shè)備獲評2024年度國內(nèi)首臺(套)裝備,。

中國粉體網(wǎng)訊  近日,,浙江省經(jīng)濟和信息化廳與浙江省財政廳聯(lián)合公布了2024年度浙江省首臺(套)裝備名單,,晶盛機電12英寸硅片最終拋光設(shè)備成功入選,,被認定為國內(nèi)首臺(套)裝備。


硅是一種非常優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,,其帶隙為1.12eV,,適中且適合多數(shù)電子器件的工作需求。硅的電子遷移率和空穴遷移率也較為理想,,適合制造高性能的芯片,。此外,硅能夠通過直拉法(Czochralski法)和區(qū)熔法等工藝制備出高質(zhì)量的大尺寸單晶,。硅晶體結(jié)構(gòu)完善,,晶格缺陷少,有利于生產(chǎn)高性能的集成電路,。


硅片表面拋光是半導(dǎo)體制造中的一項關(guān)鍵工藝,,旨在通過去除硅片表面的微缺陷、應(yīng)力損傷層以及金屬離子等雜質(zhì)污染,,達到極高的表面平整度和粗糙度要求,,從而滿足微電子(IC)器件的制備需求。


為了滿足線寬小于0.13μm至28nm的IC芯片電路工藝對直徑300mm硅拋光片的高質(zhì)量要求,,進一步減少硅片表面的金屬離子等雜質(zhì)污染,,并確保硅片表面具有極高的表面納米形貌特性,最終拋光(精拋光加工)成為不可或缺的關(guān)鍵步驟,。


 

來源:昌盛機電官網(wǎng)


昌盛機電此次入選的12英寸硅片最終拋光設(shè)備成功突破拋頭柔性均勻加壓等多項關(guān)鍵技術(shù),,有效提升晶圓表面均勻度,充分保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性,,整體技術(shù)達到國際先進水平,,在滿足大尺寸單晶硅片拋光需求的同時,實現(xiàn)關(guān)鍵核心零部件和耗材的自主研發(fā)及國產(chǎn)化替代,,為我國高端集成電路大尺寸硅片制造及裝備的研發(fā)提供強力技術(shù)支撐,。


浙江省經(jīng)濟和信息化廳

 


晶盛機電是全球光伏裝備技術(shù)和規(guī)模雙領(lǐng)先的企業(yè),國內(nèi)集成電路級8-12英寸大硅片生長及加工設(shè)備領(lǐng)先企業(yè),,公司圍繞硅,、藍寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體材料開發(fā)一系列關(guān)鍵設(shè)備,,并延伸至化合物襯底材料領(lǐng)域,,公司大尺寸藍寶石晶體生長工藝和技術(shù)已達到國際領(lǐng)先水平,是掌握核心技術(shù)和規(guī)模優(yōu)勢的龍頭企業(yè),,可為半導(dǎo)體,、光伏行業(yè)提供全球極具競爭力的高端裝備和高品質(zhì)服務(wù),。


參考來源:

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,、昌盛機電官網(wǎng),、浙江省經(jīng)濟和信息化廳


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林)

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