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【原創(chuàng)】半導(dǎo)體材料多尺度仿真及性能優(yōu)化


來源:中國粉體網(wǎng)   輕言

[導(dǎo)讀]  12月24日,金剛石材料大會,!相約鄭州,!

中國粉體網(wǎng)訊  隨著材料基因工程的推進(jìn),以高性能材料計(jì)算軟件與平臺,、AI 技術(shù)為驅(qū)動的科學(xué)研究大幅優(yōu)化了新材料及器件開發(fā)的流程與成本,。


半導(dǎo)體器件一直是IT革命的主要推動力,,隨著半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸向10nm以下的方向發(fā)展,了解納米尺度內(nèi)的氣體輸運(yùn)和反應(yīng)現(xiàn)象成為一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的任務(wù),。在開發(fā)特定工藝設(shè)備時(shí),,必須考慮到傳熱、氣體動力學(xué)和化學(xué)反應(yīng)等相互作用,。盡管器件產(chǎn)品開發(fā)主要依靠實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì),,模擬仿真的重要性越來越凸顯。


多尺度仿真技術(shù)


多尺度仿真技術(shù)是將不同尺度下的材料結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行集成并在不同尺度之間建立聯(lián)系的技術(shù),。其應(yīng)用范圍非常廣泛,,包括但不限于新材料的設(shè)計(jì)、先進(jìn)材料的開發(fā),、復(fù)雜材料的制備,、材料的損傷分析、疲勞壽命預(yù)測等等,。


具體來說,,多尺度仿真技術(shù)是通過建立不同尺度的模型來對材料進(jìn)行計(jì)算和模擬。它可以分為宏觀尺度,、介觀尺度和微觀尺度三個(gè)層次,。


在宏觀尺度下,多尺度模擬可以用來研究材料的宏觀性質(zhì),,如力學(xué)性能和熱學(xué)性能等,。其中,在有限元法和計(jì)算流體動力學(xué)領(lǐng)域,,它可以被用來更好地模擬材料在高溫,、高壓等極端條件下的行為。另外,,通過有限元方法,,學(xué)者們可以模擬不同材料的裂紋擴(kuò)展和斷裂行為,進(jìn)而設(shè)計(jì)更耐用,、更韌性的材料,。


在介觀尺度下,多尺度模擬涉及到材料的中等尺度結(jié)構(gòu)和形態(tài),。在這個(gè)尺度環(huán)

節(jié)中可使用分子動力學(xué)模擬,、蒙特卡羅方法等來研究材料的力學(xué)特性、熱學(xué)特性

介電特性等,。利用介觀尺度模擬,,可以更好地理解材料中的缺陷、位錯(cuò)等局部特征,,這對于材料的改性和優(yōu)化有很大的幫助,。


在微觀尺度下,,多尺度模擬典型的應(yīng)用是分子動力學(xué)和量子化學(xué)模擬。在這個(gè)尺度下,,研究人員可以很好地了解材料的分子結(jié)構(gòu)和動態(tài)過程,,包括分子間相互作用、熱力學(xué)性質(zhì),、電子結(jié)構(gòu)等,。


半導(dǎo)體制造過程是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的物理學(xué)任務(wù),其中涉及傳熱,、連續(xù)或稀薄氣體動力學(xué),、等離子體和化學(xué)反應(yīng)。多尺度仿真技術(shù)有助于我們更好地了解材料的微觀結(jié)構(gòu),、動力學(xué)以及電力學(xué)等過程,,同時(shí)也在半導(dǎo)體材料的設(shè)計(jì)和器件制造方面起到了重要作用。


半導(dǎo)體材料與多尺度研究


硅基半導(dǎo)體材料的多尺度研究是在金屬材料順序多尺度缺陷動力學(xué)模型的基礎(chǔ)上建立起來的,。與金屬不同,,在半導(dǎo)體中要同時(shí)考慮位移損傷和電離損傷兩種過程,研究相對困難,。不管對于哪種材料,,跨空間尺度和多種微觀機(jī)制耦合都是非常復(fù)雜的過程。因此,,理論上發(fā)展跨尺度動力學(xué)模型對理解半導(dǎo)體中存在的物理化學(xué)機(jī)制十分必要,。


多尺度計(jì)算模擬方法


先進(jìn)半導(dǎo)體器件的開發(fā)在很大程度上依賴于計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)技術(shù)(TCAD),,該技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)和學(xué)術(shù)界已經(jīng)使用多年,,它主要用于半導(dǎo)體工藝及器件模擬。


TCAD可以分為兩個(gè)關(guān)鍵方面:半導(dǎo)體工藝和器件模擬,。一直以來,,TCAD主要應(yīng)用于器件研發(fā)階段。過程模擬器主要是連續(xù)介質(zhì)過程模擬器,,其校準(zhǔn)是基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),,然后利用過程模擬器進(jìn)行器件的研發(fā)和優(yōu)化。當(dāng)半導(dǎo)體工藝技術(shù)引入新材料時(shí),,需要對現(xiàn)有模型進(jìn)行重新建�,;蛐�(zhǔn)。


由于材料,、工藝和模型的日益復(fù)雜,,以及有用的實(shí)驗(yàn)或設(shè)備的缺乏,僅僅利用實(shí)驗(yàn)測量來建立有用的模型是具有挑戰(zhàn)性的,。顯然,,這需要校準(zhǔn)更少且預(yù)測性更好的物理模型,。實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的方法是使用越來越多的物理模型,尤其是基于原子層次上的模型,。物理建模的優(yōu)點(diǎn)如下:具有預(yù)測性,;提供了對該過程的物理和化學(xué)機(jī)理更深入的解釋;以更容易理解的方式為理論知識提供了一個(gè)切入點(diǎn),;相較于實(shí)驗(yàn)研究具有性價(jià)比高,節(jié)省時(shí)間和資源等優(yōu)勢,。


現(xiàn)狀與未來


半導(dǎo)體材料多尺度模擬涉及耦合多通道,其中包括傳熱,、連續(xù)或稀薄氣體動力學(xué),、等離子體和化學(xué)反應(yīng)。目前尚無商業(yè)軟件包能夠同時(shí)模擬所有這些物理現(xiàn)象,,因此必須通過解耦使用單一物理模型進(jìn)行仿真,。然而,這種解耦可能導(dǎo)致仿真結(jié)果與實(shí)際條件偏離,。為了彌合這種差距,,仿真通常用于揭示未知中間過程參數(shù)并建立修正方法。


在新材料及器件的設(shè)計(jì)中,,多尺度仿真技術(shù)能夠?qū)?fù)雜結(jié)構(gòu)予以簡化,,促使設(shè)計(jì)過程更為高效。與此同時(shí),,借助計(jì)算方法確定最優(yōu)的材料組成以及特定的生產(chǎn)方式,,進(jìn)而提高材料制備的效率與質(zhì)量。該技術(shù)還能幫助科學(xué)家預(yù)測材料在特定條件下的行為表現(xiàn),,推動了許多新型功能材料的發(fā)現(xiàn)與研究,。


總之,多尺度仿真技術(shù)對于半導(dǎo)體材料的發(fā)展和半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)是非常重要的,。它不僅可以幫助我們更好地了解材料的基本特性和動態(tài)行為,,而且可以支持我們開發(fā)出新的材料,并改善現(xiàn)有材料的性能和使用體驗(yàn),。通過多尺度仿真技術(shù),,未來,科學(xué)家們有很大的可能性創(chuàng)造出一些過去無法想象的,、具有革命性意義的新材料,。


2024年12月24日,中國粉體網(wǎng)將在河南·鄭州舉辦“2024半導(dǎo)體行業(yè)用金剛石材料技術(shù)大會”,。屆時(shí),,我們邀請到鄭州大學(xué)周俊杰教授出席本次大會并作題為《半導(dǎo)體材料多尺度仿真及性能優(yōu)化》的報(bào)告,周俊杰教授將圍繞材料,、器件創(chuàng)新與性能優(yōu)化等問題,,基于多尺度仿真方法對其建模分析,,進(jìn)行性能優(yōu)化,尤其是硅基半導(dǎo)體材料的性能,,并對多尺度仿真技術(shù)在半導(dǎo)體材料的應(yīng)用進(jìn)行展望,。



專家簡介


周俊杰,工學(xué)博士,,碩士生導(dǎo)師,,鄭州大學(xué)機(jī)械與動力工程學(xué)院教授,新能源與低碳技術(shù)研究所所長,。長期從事多尺度模擬,、多能源集成及過程強(qiáng)化研究,主持國家自然基金1項(xiàng),,省教育廳科技攻關(guān)1項(xiàng),,參與鄭州市科技攻關(guān)2項(xiàng),主持教改項(xiàng)目2項(xiàng),,主持橫向課題20余項(xiàng),,獲河南省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)1項(xiàng),周口市科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)2項(xiàng),,河南省自然科學(xué)學(xué)術(shù)論文獎(jiǎng)4項(xiàng),,河南省自然科學(xué)優(yōu)秀學(xué)術(shù)著作二等獎(jiǎng)1項(xiàng),獲國家專利7項(xiàng),,軟件版權(quán)2項(xiàng),。


近年來,發(fā)表學(xué)術(shù)論文50余篇,,主編和參編專著和教材4部,,指導(dǎo)研究生20余名,并獲河南省教育廳研究生優(yōu)秀指導(dǎo)教師稱號,。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人與中國大唐集團(tuán)科學(xué)技術(shù)研究有限公司華中分公司,、中國船舶集團(tuán)公司第713研究所等開展校企合作研發(fā)工作。


參考來源:

1.王偉. 寬帶隙半導(dǎo)體4H-SiC核輻射探測器的設(shè)計(jì)與仿真.大連理工大學(xué)

2.沈雪陽等. 相變存儲器材料設(shè)計(jì)與多尺度模擬的研究進(jìn)展.金屬學(xué)報(bào)

3.李鵬迪. 硅半導(dǎo)體離子/中子輻照效應(yīng)的多尺度模擬.河南大學(xué)

4.Siqing Lu . Simulation of Semiconductor Manufacturing Equipment and Processes.


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