中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近日,，有投資者向中瓷電子提問， 氮化鋁基板和薄膜能否用在手機(jī)外殼的制造上,？和昆侖玻璃外殼相比是否成本很高？公司是否在這方面做了預(yù)研工作,？
氮化鋁薄膜基板和薄厚膜復(fù)合基板已實(shí)現(xiàn)批量供貨
中瓷電子表示,，公司消費(fèi)電子陶瓷外殼及基板系列產(chǎn)品主要包括聲表晶振類外殼、3D光傳感器模塊外殼,、氮化鋁陶瓷基板等,。
中瓷電子氮化鋁基板產(chǎn)品
其中，氮化鋁陶瓷基板具有熱導(dǎo)率高,、熱膨脹系數(shù)低,、介電常數(shù)低,、介質(zhì)損耗低、機(jī)械強(qiáng)度高,、無毒等特點(diǎn),。公司該類產(chǎn)品主要包括氮化鋁陶瓷薄膜金屬化基板、氮化鋁陶瓷厚膜金屬化基板,、氮化鋁薄厚膜復(fù)合基板,、氮化鋁覆銅板（AMB）、氮化鋁多層陶瓷基板等,，應(yīng)用于光通信,、IGBT、高功率LED等領(lǐng)域,。其中,，氮化鋁薄膜基板和薄厚膜復(fù)合基板應(yīng)用于光模塊，已實(shí)現(xiàn)批量供貨,。
電子陶瓷領(lǐng)域技術(shù)實(shí)力夠硬
中瓷電子主營(yíng)第三代半導(dǎo)體器件及模塊,，電子陶瓷材料及元件三大業(yè)務(wù)。在電子陶瓷材料及元件方面,，其技術(shù)優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在電子陶瓷新材料,、半導(dǎo)體外殼仿真設(shè)計(jì)、生產(chǎn)工藝等方面,。
在材料方面,，公司掌握多種陶瓷體系的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，包括系列化氧化鋁陶瓷和系列化氮化鋁陶瓷以及與其相匹配的金屬化體系,。
在工藝技術(shù)方面,，公司具有全套的多層陶瓷外殼制造技術(shù)，包括原材料制備,、流延,、沖孔沖腔、金屬化印刷,、層壓,、熱切、燒結(jié),、鍍鎳,、釬焊、鍍金等技術(shù),。公司建立了完善的氧化鋁陶瓷和氮化鋁陶瓷加工工藝平臺(tái),，建立了以流延成型為主的氧化鋁多層陶瓷工藝，以厚膜印刷為主的高溫厚膜金屬化工藝,，以高溫焊料為主的釬焊組裝工藝,，以電鍍,、化學(xué)鍍?yōu)橹鞯腻冩嚒㈠兘鸸に�,，建立了完善的精密陶瓷零部件制造工藝平臺(tái),。
已掌握多種基板制備及金屬化技術(shù)
隨著信息技術(shù)革命的到來，集成電路產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展,，電子系統(tǒng)集成度的提高將導(dǎo)致功率密度升高,，以及電子元件和系統(tǒng)整體工作產(chǎn)生的熱量增加，因此,，有效的電子封裝必須解決電子系統(tǒng)的散熱問題,。氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的電性能和熱性能，被認(rèn)為是重要的散熱基板材料,，但是氮化鋁陶瓷基板本身并不具備導(dǎo)電性,，因此在用作大功率散熱基板之前必須對(duì)其表面進(jìn)行金屬化。氮化鋁陶瓷表面的金屬化方法有：薄膜法,、厚膜法、高熔點(diǎn)金屬化法,、化學(xué)鍍法,、直接覆銅法(DBC)等。
中瓷電子薄膜基板
薄膜法是采取離子鍍,、真空蒸鍍,、濺射鍍膜等方法在氮化鋁陶瓷基板上制備金屬薄膜。理論上任何金屬薄膜都可以通過氣相沉積技術(shù)鍍?cè)谌魏位宀牧仙�,，但是為了獲得粘結(jié)強(qiáng)度更好的基板/金屬膜層系統(tǒng),，一般要求兩者的熱膨脹系數(shù)應(yīng)盡量匹配。通常在多層結(jié)構(gòu)基板中,，基板內(nèi)部金屬和表層金屬不盡相同,，陶瓷基板相接觸的薄膜金屬應(yīng)該具有反應(yīng)性好、與基板結(jié)合力強(qiáng)的特性,，表面金屬層多選擇電導(dǎo)率高,、不易氧化的金屬。
厚膜法是指通過絲網(wǎng)印刷的方式直接在氮化鋁陶瓷基體表面涂上一層導(dǎo)電漿料,，然后經(jīng)過干燥,、高溫?zé)Y(jié)使金屬涂層附著在陶瓷基體表面的工藝。導(dǎo)電漿料一般由導(dǎo)電金屬粉末,、玻璃粘結(jié)劑和有機(jī)載體組成,。導(dǎo)電金屬粉末決定了漿料成膜后的電學(xué)性能和機(jī)械性能，目前常用的金屬粉末有銀,、銅,、鎳和鋁等,，其中，銀和銅電阻低,，成本低,，較為適合工業(yè)化生產(chǎn)。因此,，該工藝性能可靠,，具有生產(chǎn)效率高、成本低,、設(shè)計(jì)靈活等優(yōu)點(diǎn),。
中瓷電子厚膜基板
公開資料顯示，中瓷電子在氮化鋁陶瓷基板方面已掌握了從裸基板到薄膜金屬化基板,、厚膜金屬化基板,、薄厚膜復(fù)合基板、AMB基板,、DBC基板等完整的陶瓷基板生產(chǎn)工藝,。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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